[發明專利]一種膜結構單層多點的電容式觸摸屏感應器制作工藝

在審

• 申請號: 201510275930.2
• 申請日: 2015-05-27
• 公開（公告）號: CN104820534A
• 公開（公告）日: 2015-08-05
• 發明（設計）人: 許明旭;敖龍華;曾昭杰
• 申請（專利權）人: 廣東泰通科技股份有限公司
• 主分類號: G06F3/044
• 分類號: G06F3/044
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 倪小敏;鄭永泉

1.一種膜結構單層多點的電容式觸摸屏感應器制作工藝，其特征在于，依次包括以下步驟：

S1、涂布：在鍍銅ITO膜表面上涂敷液態光阻劑，并烘烤使得所述液態光阻劑固化為光阻層；

S2、曝光：對涂敷在鍍銅ITO膜表面上的光阻層進行曝光；

S3、顯影：將曝光后的鍍銅ITO膜用堿性溶液顯影；

S4、第一次蝕刻：將顯影后的鍍銅ITO膜用酸性溶液進行蝕刻，同時在鍍銅金屬層和ITO膜上形成圖案；

S5、第一次剝膜：將蝕刻后的鍍銅ITO膜用堿性溶液去除鍍銅ITO膜表面的光阻層；

S6、油墨印刷：在剝膜后的鍍銅ITO膜上印刷耐酸油墨，經紫外燈照射下固化耐酸油墨，以保護可視區外的經步驟S4蝕刻形成的金屬線路圖案；

S7、第二次蝕刻：將印刷耐酸油墨后的鍍銅ITO膜用強氧化性溶液進行浸泡或噴淋，進一步蝕刻可視區的金屬層；

S8、第二次剝膜：將經過步驟S7后的鍍銅ITO膜用堿性溶液進行浸泡或噴淋，去除耐酸油墨；

S9、絕緣印刷：在經過步驟S8后的鍍銅ITO膜上印刷透明的絕緣油墨，并在紫外燈照射下固化；

S10、銀漿印刷：在經過步驟S9后的鍍銅ITO膜上印上導電銀漿，并在紫外燈下固化形成跳線，得到所述膜結構單層多點的電容式觸摸屏感應器。

2.根據權利要求1所述的一種膜結構單層多點的電容式觸摸屏感應器制作工藝，其特征在于，所述的步驟S1中涂敷液態光阻劑為正性光刻膠，厚度為4~7?um，所述烘烤固化溫度為120~130℃。

3.根據權利要求1所述的一種膜結構單層多點的電容式觸摸屏感應器制作工藝，其特征在于，所述的步驟S2的曝光是在黃光環境中，用波長為200~400?nm的紫外線垂直照射光阻層，曝光能量為200~300?J/cm²。

4.根據權利要求1所述的一種膜結構單層多點的電容式觸摸屏感應器制作工藝，其特征在于，所述步驟S3中顯影溫度為20~25℃，顯影時間為50±20?s；所述堿性溶液為氫氧化鈉或碳酸鈉溶液，質量濃度為0.1~1.0?%wt。

5.根據權利要求1所述的一種膜結構單層多點的電容式觸摸屏感應器制作工藝，其特征在于，所述步驟S4中蝕刻溫度為30~50℃，蝕刻時間為50±30?s；所述酸性溶液為硝酸或鹽酸溶液，質量濃度為20±2%wt。

6.根據權利要求1所述的一種膜結構單層多點的電容式觸摸屏感應器制作工藝，其特征在于，所述步驟S5中剝膜溫度為30±5℃，剝膜時間為40±10?s；所述堿性溶液為氫氧化鈉或碳酸鈉溶液，質量濃度為2±0.5%wt。

7.根據權利要求1所述的一種膜結構單層多點的電容式觸摸屏感應器制作工藝，其特征在于，所述步驟S7中蝕刻溫度為30~40℃，蝕刻時間為50±30?s；所述的強氧化性溶液為雙氧水，質量濃度為5~6%wt。

8.根據權利要求1所述的一種膜結構單層多點的電容式觸摸屏感應器制作工藝，其特征在于，所述步驟S8中剝膜溫度為30±5℃，剝膜時間為40±10?s；所述堿性溶液為氫氧化鈉或碳酸鈉溶液，質量濃度為2±0.5%wt。