[發明專利]一種電致發光器件及其制備方法、顯示基板、顯示裝置在審
| 申請號: | 201510275553.2 | 申請日: | 2015-05-26 |
| 公開(公告)號: | CN104882567A | 公開(公告)日: | 2015-09-02 |
| 發明(設計)人: | 吳海東;玄明花;賴韋霖;馮翔 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電致發光 器件 及其 制備 方法 顯示 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種電致發光器件及其制備方法、顯示基板、顯示裝置。
背景技術
AM-OLED(Active?Matrix-Organic?Light-Emitting?Display,有源矩陣式有機電致發光顯示器)顯示器中的OLED器件的發光方式主要為從陰極一側出光,即,如圖1所示,陽極040與陰極020分別位于功能層030的兩側,當在陽極040與陰極020上施加大于某一閾值的外加電場后,空穴、電子分別從陽極040、陰極020注入到功能層030中的發光層后發生輻射復合而導致發光,如圖中箭頭方式所示,光線從位于上方的陰極020一側射出,從而實現顯示。
然而,由于陰極通常采用低功函數的金屬單質和/或合金材料,其光透過率較低,為了減小陰極對OLED器件整體出光率的影響,需要將陰極的厚度制作地較薄。但是當陰極厚度較小時,其面電阻Rs(Rs=ρ/t,ρ為電阻率,t為厚度)會顯著增加,導致OLED器件的驅動電壓升高,能耗變大。
發明內容
本發明的實施例提供一種電致發光器件及其制備方法、顯示基板、顯示裝置,不需要減小金屬陰極的厚度即可提高OLED器件的整體出光率,保證其良好的顯示效果。
為達到上述目的,本發明的實施例采用如下技術方案:
一方面、本發明實施例提供了一種電致發光器件,所述電致發光器件包括:位于襯底基板上的金屬陰極層、功能層、透明陽極層;其中,所述透明陽極層位于所述電致發光器件的出光側;所述功能層包括:依次遠離所述金屬陰極層的電子傳輸層、發光層以及空穴傳輸層。
優選的,所述電致發光器件還包括:位于所述襯底基板與所述金屬陰極層之間的透明導電層,且所述透明導電層與所述金屬陰極層相接觸。
進一步優選的,所述透明導電層由銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氟摻雜錫氧化物、鎵銦錫氧化物、以及鋅銦錫氧化物中的任一種材料構成。
進一步優選的,所述透明導電層的厚度為10-20nm。
優選的,所述電致發光器件還包括:位于所述功能層與所述透明陽極層之間的透明緩沖層;其中,構成所述透明緩沖層材料的空穴遷移率大于等于10-5cm2·s-1·V-1。
進一步優選的,所述透明緩沖層的厚度為50-150nm。
在上述基礎上優選的,所述金屬陰極層的厚度為20-100nm。
在上述基礎上優選的,所述功能層還包括:電子注入層、電子阻擋層以及空穴注入層中的至少一種;其中,所述電子注入層位于所述金屬陰極層與所述電子傳輸層之間;所述電子阻擋層位于所述發光層與所述空穴傳輸層之間;所述空穴注入層位于所述空穴傳輸層與所述透明陽極層之間。
本發明實施例還提供了一種電致發光器件的制備方法,所述制備方法包括:在襯底基板上形成金屬陰極層、功能層、透明陽極層;其中,形成的所述透明陽極層位于所述電致發光器件的出光側;形成所述功能層包括:依次遠離所述金屬陰極層的電子傳輸層、發光層以及空穴傳輸層。
優選的,形成所述功能層之后,且形成所述透明陽極層之前,所述制備方法還包括:在形成的所述功能層上形成透明緩沖層;其中,構成所述透明緩沖層材料的空穴遷移率大于等于10-5cm2·s-1·V-1。
進一步優選的,形成的所述透明緩沖層的厚度為50-150nm。
在上述基礎上優選的,所述透明陽極層采用低溫成膜工藝形成;其中,所述低溫成膜工藝的成膜溫度小于等于100℃。
優選的,所述低溫成膜工藝包括:負離子束濺鍍法、低溫化學氣相沉積法中的至少一種。
進一步優選的,形成所述金屬陰極層之前,所述制備方法還包括:在所述襯底基板上形成透明導電層;形成所述金屬陰極層包括:在所述透明導電層上形成所述金屬陰極層,且所述透明導電層與所述金屬陰極層相接觸。
優選的,形成的所述功能層還包括:電子注入層、電子阻擋層以及空穴注入層中的至少一種;其中,形成所述金屬陰極層之后,且形成所述電子傳輸層之前,所述制備方法還包括:形成所述電子注入層;形成所述發光層之后,且形成空穴傳輸層之前,所述制備方法還包括:形成所述電子阻擋層;形成所述空穴傳輸層之后,且形成所述透明陽極層之前,所述制備方法還包括:形成所述空穴注入層。
另一方面、本發明實施例還提供了一種顯示基板,所述顯示基板包括位于襯底基板上的上述任一項所述的電致發光器件。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





