[發明專利]一種電致發光器件及其制備方法、顯示基板、顯示裝置

在審

• 申請號: 201510275553.2
• 申請日: 2015-05-26
• 公開（公告）號: CN104882567A
• 公開（公告）日: 2015-09-02
• 發明（設計）人: 吳海東;玄明花;賴韋霖;馮翔
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種電致發光器件，其特征在于，所述電致發光器件包括：位于襯底基板上的金屬陰極層、功能層、透明陽極層；

其中，所述透明陽極層位于所述電致發光器件的出光側；

所述功能層包括：依次遠離所述金屬陰極層的電子傳輸層、發光層以及空穴傳輸層。

2.根據權利要求1所述的電致發光器件，其特征在于，所述電致發光器件還包括：

位于所述襯底基板與所述金屬陰極層之間的透明導電層，且所述透明導電層與所述金屬陰極層相接觸。

3.根據權利要求2所述的電致發光器件，其特征在于，所述透明導電層由銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氟摻雜錫氧化物、鎵銦錫氧化物、以及鋅銦錫氧化物中的任一種材料構成。

4.根據權利要求2所述的電致發光器件，其特征在于，所述透明導電層的厚度為10-20nm。

5.根據權利要求1所述的電致發光器件，其特征在于，所述電致發光器件還包括：

位于所述功能層與所述透明陽極層之間的透明緩沖層；

其中，構成所述透明緩沖層材料的空穴遷移率大于等于10^-5cm²·s^-1·V^-1。

6.根據權利要求5所述的電致發光器件，其特征在于，所述透明緩沖層的厚度為50-150nm。

7.根據權利要求1至6任一項所述的電致發光器件，其特征在于，

所述金屬陰極層的厚度為20-100nm。

8.根據權利要求1至6任一項所述的電致發光器件，其特征在于，所述功能層還包括：

電子注入層、電子阻擋層以及空穴注入層中的至少一種；其中，

所述電子注入層位于所述金屬陰極層與所述電子傳輸層之間；

所述電子阻擋層位于所述發光層與所述空穴傳輸層之間；

所述空穴注入層位于所述空穴傳輸層與所述透明陽極層之間。

9.一種電致發光器件的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

在襯底基板上形成金屬陰極層、功能層、透明陽極層；

其中，形成的所述透明陽極層位于所述電致發光器件的出光側；

形成所述功能層包括：依次遠離所述金屬陰極層的電子傳輸層、發光層以及空穴傳輸層。

10.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，形成所述功能層之后，且形成所述透明陽極層之前，所述制備方法還包括：

在形成的所述功能層上形成透明緩沖層；

其中，構成所述透明緩沖層材料的空穴遷移率大于等于10^-5cm²·s^-1·V^-1。

11.根據權利要求10所述的制備方法，其特征在于，形成的所述透明緩沖層的厚度為50-150nm。

12.根據權利要求9至11任一項所述的制備方法，其特征在于，所述透明陽極層采用低溫成膜工藝形成；其中，所述低溫成膜工藝的成膜溫度小于等于100℃。

13.根據權利要求12所述的制備方法，其特征在于，所述低溫成膜工藝包括：負離子束濺鍍法、低溫化學氣相沉積法中的至少一種。

14.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，形成所述金屬陰極層之前，所述制備方法還包括：

在所述襯底基板上形成透明導電層；

形成所述金屬陰極層包括：在所述透明導電層上形成所述金屬陰極層，且所述透明導電層與所述金屬陰極層相接觸。

15.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，形成的所述功能層還包括：

電子注入層、電子阻擋層以及空穴注入層中的至少一種；其中，

形成所述金屬陰極層之后，且形成所述電子傳輸層之前，所述制備方法還包括：形成所述電子注入層；

形成所述發光層之后，且形成空穴傳輸層之前，所述制備方法還包括：形成所述電子阻擋層；

形成所述空穴傳輸層之后，且形成所述透明陽極層之前，所述制備方法還包括：形成所述空穴注入層。

16.一種顯示基板，其特征在于，所述顯示基板包括位于襯底基板上的如權利要求1至8任一項所述的電致發光器件。