[發明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置

在審

• 申請號: 201510272658.2
• 申請日: 2015-05-25
• 公開（公告）號: CN104834139A
• 公開（公告）日: 2015-08-12
• 發明（設計）人: 崔賢植
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1343;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術領域

本發明涉及液晶顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置。

背景技術

隨著液晶顯示技術的發展，平板顯示器已經取代CRT(Cathode?Ray?Tube，陰極射線管)顯示器成為顯示器領域的主流產品。目前，常用的平板顯示器包括LCD(Liquid?Crystal?Display，液晶顯示器)和OLED(Organic?Light-Emitting?Diode，有機發光二極管)顯示器。在成像過程中，LCD顯示器中每一液晶像素點都集成在TFT(Thin?Film?Transistor，薄膜晶體管)來驅動，再配合外圍驅動電路，實現圖像顯示。

在ADS(ADvanced?Super?Dimension?Switch，高級超維場轉換技術)模式下，在陣列基板上形成有兩層透明電極(可以由氧化銦錫ITO來制作)，通常將其中一層ITO電極應用為公共電極(Vcom)，而將另外一層ITO電極應用為像素電極(Vpixel)。傳統結構中，通常像素電極位于公共電極的上方，如圖1所示。這種結構下，公共電極為沒有狹縫的結構，由于在沒有狹縫的結構下，受到旁邊像素的電場的干擾，容易發生混色。為了解決該問題，現有技術提出了PCI(像素反轉)結構，即公共電極位于像素電極上方，如圖2所示。PCI結構下，由于柵線為逐行掃描，在對每一行柵線進行掃描時，所有數據線均將打開，為了避免數據線打開形成的電場造成液晶分子偏轉，通過公共電極形成遮光部(公共電極與柵線/數據線(S/D)邊緣之間部分)，其寬度需要不小于3um，這樣，使得在公共電極之間最多可以形成1個狹縫，這降低了液晶效率，使得驅動電壓升高。

發明內容

本發明提供一種陣列基板及其制備方法、顯示面板和顯示裝置，使得形成的公共電極狹縫個數可以包括至少兩個，在避免相鄰像素影響形成混色問題的同時，提高液晶效率。

本發明實施例提供一種陣列基板，包括交叉設置的多條柵線和多條數據線，所述交叉設置的多條柵線和多條數據線限定多個像素區域，每一所述像素區域包括薄膜晶體管，所述陣列基板還包括設置在所述薄膜晶體管和所述數據線上方的第一絕緣層，設置于第一絕緣層上方的金屬層和位于金屬層上方的第二絕緣層；以及設置在第二絕緣層上方的像素電極和公共電極，所述像素電極和公共電極之間設置有第三絕緣層，每個所述像素區域中的所述公共電極至少包括兩個狹縫；其中，所述金屬層覆蓋所述數據線上方，所述像素電極通過至少貫穿所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的過孔與所述薄膜晶體管的漏極電連接。

所述金屬層通過貫穿所述第二絕緣層和所述第三絕緣層的過孔與所述公共電極電連接。

所述金屬層包括以下任一種或多種：鉬、銅或者鋁。

所述金屬層的寬度大于所述數據線的寬度，且所述金屬層的寬度中心與所述數據線的寬度中心位于同一直線上。

所述金屬層的寬度為3～4um。

所述金屬層的邊緣與所述數據線的邊緣之間的距離為0.8～1.5um。

相鄰數據線之間的距離不大于14um。

本發明實施例提供一種顯示面板，包括相對設置的彩色基板和上述的陣列基板。

本發明實施例提供一種制備陣列基板的方法，包括：

形成包括源漏極和數據線的圖形；

形成第一絕緣層；

形成金屬層，所述金屬層位于所述第一絕緣層的上方，且所述金屬層覆蓋所述數據線上方；

形成第二絕緣層，并形成至少貫穿第一絕緣層和第二絕緣層的過孔；

形成像素電極，所述像素電極位于所述第二絕緣層的上方，且所述像素電極通過至少貫穿所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的過孔與所述漏極電連接；

形成第三絕緣層；

形成公共電極，所述公共電極位于第三絕緣層上方，且所述公共電極至少包括兩個狹縫。

本發明實施例提供的陣列基板制備方法，還包括：

形成至少貫穿所述第二絕緣層和第三絕緣層的過孔，所述金屬層通過至少貫穿所述第二絕緣層和第三絕緣層的過孔與所述公共電極電連接。

本發明實施例提供的陣列基板制備方法，所述形成包括源漏極和數據線的圖形的步驟之前，還包括：

在襯底基板上形成柵極；

在所述柵極上沉積柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成有源層。