[發明專利]密封的磁盤介質外殼

在審

• 申請號: 201510271711.7
• 申請日: 2015-04-09
• 公開（公告）號: CN105047217A
• 公開（公告）日: 2015-11-11
• 發明（設計）人: 稻葉宏;松本浩之;平山義幸;松村徹
• 申請（專利權）人: HGST荷蘭有限公司
• 主分類號: G11B33/14
• 分類號: G11B33/14
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 關兆輝;謝麗娜

技術領域

本公開的各方面涉及數據存儲系統領域，并且具體涉及一種密封的磁盤介質外殼。

背景技術

硬盤驅動器(HDD)包括存儲數字信息的電子存儲設備。HDD包括一個或多個磁盤。這些磁盤典型地包括能存儲大量數字信息的光學或磁性介質。磁盤被旋轉以在磁盤上讀或寫數字信息。

在HDD設備中可能發生的一個問題是磁盤表面的氧化。氧化層可能會干擾從磁盤讀取或向磁盤寫入。該氧化不必須顯著地厚以干擾磁盤的讀和寫操作。因而，HDD設備的制造商采取措施以去除HDD設備內的氧氣和/或濕氣以及阻止氧氣和濕氣透進HDD設備。

阻止氧化的老方法是密封該HDD設備。然而，生成用于HDD設備使用期的氣密HDD外殼是有困難的。

發明內容

提供了一種密封的磁盤介質外殼。在一個示例中該密封的磁盤介質外殼包括由多孔材料形成并且包括磁盤介質室和在該介質外殼結構一側上的室孔的介質外殼結構、位于該磁盤介質室內的一個或多個磁盤介質、在該介質外殼結構的至少一部分上的類金剛石碳(DLC)涂層，利用該DLC涂層阻止氣體分子通過該介質外殼結構，以及附加至該介質外殼結構并實質地密封該室孔的蓋，其中預定氣體或氣體混合物被密封在該磁盤介質室內。該預定氣體或氣體混合物將在磁盤介質存儲系統內部水和氧氣的出現和影響減到最少。

附圖說明

圖1示出了示例性磁盤介質存儲系統。

圖2示出了圖1的磁盤介質存儲系統的截面圖AA。

圖3示出了圖1的磁盤介質存儲系統的另一個截面圖AA。

圖4示出了另一個示例性磁盤介質存儲系統。

圖5示出了圖4的磁盤介質存儲系統的截面圖BB。

圖6是鋼結構用不銹鋼(SteelUseStainless，SUS)蓋板的圖，示出了原子含量對濺射時間。

圖7是該SUS蓋板的另一個圖，其中碳含量大得多。

具體實施方式

以下描述和相關附圖教導了本發明的最佳模式。出于教導發明原理的目的，最佳模式的某些傳統方面可被簡化或省略。以下權利要求限定了本發明的保護范圍。最佳模式的某些方面可能沒有落在如由該權利要求限定的本發明保護范圍內。因此，本領域技術人員將意識到落在本發明保護范圍內的基于該最佳模式的變化。本領域技術人員將意識到以下描述的特征可以各種方式組合以形成本發明的多種變化。結果是，本發明不限于以下描述的具體示例，而僅僅由權利要求以及它們的等同物限定。

圖1示出了示例性磁盤介質存儲系統100。在某些示例中該磁盤介質存儲系統100包括硬盤驅動器(HDD)，該硬盤驅動器包括一個或多個磁盤介質120。該磁盤介質存儲系統100包括介質外殼結構110、在該介質外殼結構110中形成的磁盤介質室113、在該磁盤介質室113中形成并包括軸孔117的主軸座116、位于該磁盤介質室113中并與主軸座116的軸孔117同軸的一個或多個磁盤介質120、位于這些磁盤120之間的一個或多個對應間隔物121、位于一個或多個磁盤介質120的頂磁盤上的頂部間隔物123、位于該磁盤介質室113內并定位與該一個或多個磁盤介質120交互的讀/寫磁頭130、以及密封地附加至該介質外殼結構110的蓋140。其它組件可被包括在該磁盤介質存儲系統100中，但為了清晰起見被省略。

除了以上組件，非多孔涂層114形成在該介質外殼結構110的至少一部分上(參見附圖2-5)。在一個示例中，該非多孔涂層114包括類金剛石碳(DLC)。在另一個示例中，該非多孔涂層114包括非晶碳。非晶碳包括DLC的子集。

DLC存在于碳材料的多種變化和形式中，其顯示金剛石的某些典型屬性。DLC的形式通常被用作其它材料上的涂層，并且所有的DLC形式包含大量sp³合成碳原子。通過在納米級結構以各種方式混合該兩種結晶碳多型，DLC涂層可被形成是非晶態的、柔性的而純sp³結合的類金剛石。最硬、最強和最滑形式的DLC是已知為四面體非晶碳(ta-C)的混合物。該ta-C形式的DLC被認為是純形式的DLC，僅由sp³結合的碳原子組成。

該非多孔涂層114可在該介質外殼結構110的內表面或各表面上形成。可選地或此外，該非多孔涂層114可在該介質外殼結構110的外表面或各表面上形成。

該一個或多個磁盤介質120可包括被獨立地讀和寫的多個磁盤。可替選地，該磁盤介質存儲系統100可包括廉價/獨立磁盤冗余陣列(RAID)單元，其中數據被同時讀和寫至每個磁盤。