[發明專利]密封的磁盤介質外殼

在審

• 申請號: 201510271711.7
• 申請日: 2015-04-09
• 公開（公告）號: CN105047217A
• 公開（公告）日: 2015-11-11
• 發明（設計）人: 稻葉宏;松本浩之;平山義幸;松村徹
• 申請（專利權）人: HGST荷蘭有限公司
• 主分類號: G11B33/14
• 分類號: G11B33/14
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 關兆輝;謝麗娜

1.一種密封的磁盤介質外殼，包括：

介質外殼結構，所述介質外殼結構由多孔材料形成并包括磁盤介質室和在所述介質外殼結構一側上的室孔；

一個或多個磁盤介質，所述一個或多個磁盤介質位于所述磁盤介質室內；

類金剛石碳(DLC)涂層，所述類金剛石碳(DLC)涂層在所述介質外殼結構的至少一部分上，利用所述DLC涂層阻止氣體分子通過所述介質外殼結構；以及

蓋，所述蓋附加至所述介質外殼結構并實質地密封所述室孔，其中，預定氣體或氣體混合物被密封在所述磁盤介質室內。

2.如權利要求1所述的密封的磁盤介質外殼，其中所述DLC涂層包含非晶碳涂層。

3.如權利要求1所述的密封的磁盤介質外殼，其中所述DLC涂層延伸遍布所述磁盤介質室的內表面或各表面。

4.如權利要求1所述的密封的磁盤介質外殼，其中所述DLC涂層延伸遍布所述介質外殼結構的外表面或各表面。

5.如權利要求1所述的密封的磁盤介質外殼，其中所述磁盤介質室填充有小于大氣壓的所述預定氣體或氣體混合物。

6.如權利要求1所述的密封的磁盤介質外殼，其中所述預定氣體或氣體混合物包含氦氣。

7.如權利要求1所述的密封的磁盤介質外殼，其中所述蓋涂覆有所述DLC涂層。

8.一種密封的磁盤介質外殼，包括：

介質外殼結構，所述介質外殼結構由鋁形成并包括磁盤介質室和在所述介質外殼結構一側上的室孔；

一個或多個磁盤介質，所述一個或多個磁盤介質位于所述磁盤介質室內；

類金剛石碳(DLC)涂層，所述類金剛石碳(DLC)涂層在所述介質外殼結構的至少一部分上，利用所述DLC涂層阻止氣體分子通過所述介質外殼結構；

第一蓋，所述第一蓋附加至所述磁盤介質室內的介質外殼結構并形成第一室，其中，預定氣體或氣體混合物被密封在所述第一室內；以及

第二蓋，所述第二蓋附加至所述介質外殼結構并實質地密封所述室孔，其中所述第二蓋與所述第一蓋間隔開并在所述第一蓋和所述第二蓋之間形成第二室。

9.如權利要求8所述的密封的磁盤介質外殼，其中所述DLC涂層包含非晶碳涂層。

10.如權利要求8所述的密封的磁盤介質外殼，其中所述DLC涂層延伸遍布所述第一室或所述第二室的一個或兩者的內表面或各表面。

11.如權利要求8所述的密封的磁盤介質外殼，其中所述DLC涂層延伸遍布所述介質外殼結構的外表面或各表面。

12.如權利要求8所述的密封的磁盤介質外殼，其中所述第一室填充有小于大氣壓的所述預定氣體或氣體混合物。

13.如權利要求8所述的密封的磁盤介質外殼，其中所述預定氣體或氣體混合物包含氦氣。

14.如權利要求8所述的密封的磁盤介質外殼，其中所述第一蓋或所述第二蓋中的一個或兩者涂覆有所述DLC涂層。

15.一種制作密封的磁盤介質外殼的方法，包括：

形成多孔材料的介質外殼結構，所述介質外殼結構包括磁盤介質室和在所述介質外殼結構一側上的室孔；

利用類金剛石碳(DLC)涂層涂覆所述介質外殼結構的至少一部分，利用所述DLC涂層阻止氣體分子通過所述介質外殼結構；

在所述磁盤介質室中提供一個或多個磁盤介質；以及

將蓋附加至所述介質外殼結構并實質地密封所述室孔，其中，預定氣體或氣體混合物被密封在所述磁盤介質室內。

16.如權利要求15所述的方法，其中所述DLC涂層包含非晶碳涂層。

17.如權利要求15所述的方法，其中所述DLC涂層延伸遍布所述磁盤介質室的內表面或各表面。

18.如權利要求15所述的方法，其中所述DLC涂層延伸遍布所述介質外殼結構的外表面或各表面。

19.如權利要求15所述的方法，其中所述磁盤介質室填充有小于大氣壓的所述預定氣體或氣體混合物。

20.如權利要求15所述的方法，其中所述預定氣體或氣體混合物包含氦氣。