[發(fā)明專利]芯片溫度與電流強(qiáng)度關(guān)聯(lián)性的測(cè)試設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510255767.3 | 申請(qǐng)日: | 2015-05-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104808136A | 公開(公告)日: | 2015-07-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 潘子升;宋斌俊;魏建中 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 杭州士蘭微電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01R31/28 | 分類號(hào): | G01R31/28 |
| 代理公司: | 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11449 | 代理人: | 劉鋒;蔡純 |
| 地址: | 310012*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 芯片 溫度 電流強(qiáng)度 關(guān)聯(lián)性 測(cè)試 設(shè)備 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及芯片測(cè)試領(lǐng)域,特別是涉及到一些中大功率且發(fā)熱量較大的高集成度復(fù)雜芯片的芯片溫度和電流強(qiáng)度關(guān)聯(lián)性的測(cè)試。
背景技術(shù)
隨著半導(dǎo)體技術(shù)及封裝工藝尺寸的進(jìn)步,芯片集成度越來越高,隨之而來出現(xiàn)的一個(gè)重要挑戰(zhàn),就是如此高集成度的設(shè)計(jì)工藝,要盡可能最大限度地降低功耗、溫耗,提高能量轉(zhuǎn)化效率,對(duì)于芯片的設(shè)計(jì),有很大的難度。而準(zhǔn)確評(píng)估出芯片工作時(shí)候的溫度與芯片的關(guān)鍵路徑上的電流強(qiáng)度的關(guān)聯(lián)性,在芯片設(shè)計(jì)階段,尤其在芯片后期驗(yàn)證階段,是降低能耗及發(fā)熱量的一項(xiàng)重要參考依據(jù)。
針對(duì)上述提及的有關(guān)芯片溫度及電流強(qiáng)度關(guān)聯(lián)指標(biāo)測(cè)試,目前通常的方法是各指標(biāo)獨(dú)立測(cè)試,即先在裝有待測(cè)芯片運(yùn)行平臺(tái)的關(guān)鍵路徑串入電流表,讀出電流值,然后利用熱敏類溫度傳感設(shè)備,測(cè)量芯片表面溫度,最后將二者的對(duì)應(yīng)測(cè)量值人工錄入記錄表格,再分析其關(guān)聯(lián)性。
這種手工測(cè)量的方法不僅成本昂貴,而且效率低下,誤差率較高。在某些特殊環(huán)境下更難以實(shí)現(xiàn)對(duì)上述指標(biāo)的測(cè)試,例如在85攝氏度高溫箱下測(cè)試芯片溫度和電流強(qiáng)度。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明提供一種芯片溫度與電流強(qiáng)度關(guān)聯(lián)性的測(cè)試設(shè)備,利用溫度測(cè)量裝置和電流測(cè)量裝置,可以快速精確測(cè)得待測(cè)芯片的芯片溫度與芯片的關(guān)鍵路徑上的電流強(qiáng)度,而且待測(cè)芯片的芯片溫度和電流強(qiáng)度可以保存到該測(cè)試設(shè)備的存儲(chǔ)單元,以便于后期批量導(dǎo)出數(shù)據(jù)。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,本發(fā)明提供一種芯片溫度與電流強(qiáng)度關(guān)聯(lián)性的測(cè)試設(shè)備,包括:
溫度測(cè)量裝置,用于測(cè)量待測(cè)芯片的芯片溫度;
電流測(cè)量裝置,用于測(cè)量所述芯片的關(guān)鍵路徑上的電流強(qiáng)度;
芯片配置裝置,用于從處理器接收所述芯片的配置信息,并根據(jù)所述配置信息配置所述芯片工作模式;
處理器,分別與所述溫度測(cè)量裝置、所述電流測(cè)量裝置和所述芯片配置裝置連接,用于控制所述溫度測(cè)量裝置、所述芯片配置裝置和所述電流測(cè)量裝置,存儲(chǔ)所述芯片溫度和電流強(qiáng)度。
優(yōu)選地,還包括:
交互裝置,用于獲取用戶輸入的所述芯片的配置信息,并將所述芯片的配置信息輸出到處理器。
優(yōu)選地,所述交互裝置包括:
配置單元,用于獲取用戶輸入的所述芯片的配置信息;
顯示單元,用于顯示所述芯片溫度和電流強(qiáng)度;
移動(dòng)存儲(chǔ)接口,用于向外部移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備傳輸所述芯片溫度和電流強(qiáng)度數(shù)據(jù)。
優(yōu)選地,所述溫度測(cè)量裝置包括:
溫度檢測(cè)單元,用于檢測(cè)所述芯片的芯片溫度;
第一模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換電路,用于將所述溫度檢測(cè)單元輸出的表征所述芯片溫度的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)輸出到所述處理器。
優(yōu)選地,所述溫度檢測(cè)單元包括至少一個(gè)長(zhǎng)度可伸縮的測(cè)溫探頭和至少一個(gè)溫度傳感器,所述探頭連接到所述溫度傳感器上。
優(yōu)選地,所述電流測(cè)量裝置包括順序連接的濾波電路、信號(hào)調(diào)制電路和第二模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換電路。
優(yōu)選地,所述芯片配置裝置包括:
配置接口電路,用于和所述處理器通訊;
第一數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換電路,用于將所述配置信息的數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換成模擬信號(hào)。
優(yōu)選地,所述處理器包括非易失存儲(chǔ)器,用于存儲(chǔ)所述芯片溫度、電流強(qiáng)度數(shù)據(jù)和配置信息。
優(yōu)選地,所述溫度測(cè)量裝置和所述電流測(cè)量裝置分別記錄測(cè)量時(shí)間。
優(yōu)選地,所述溫度測(cè)量裝置和電流測(cè)量裝置按照固定時(shí)間間隔記錄所述芯片溫度和電流強(qiáng)度。
本發(fā)明提供一種芯片溫度(芯片表面溫度)與電流強(qiáng)度關(guān)聯(lián)性的測(cè)試設(shè)備,利用溫度測(cè)量裝置和電流測(cè)量裝置,可以快速精確測(cè)得待測(cè)芯片溫度與芯片的關(guān)鍵路徑上的電流強(qiáng)度,而且待測(cè)芯片溫度和芯片的電流強(qiáng)度的數(shù)值可以保存到該測(cè)試設(shè)備內(nèi)部存儲(chǔ)單元,以便于后期批量導(dǎo)出數(shù)據(jù)。該測(cè)試設(shè)備實(shí)現(xiàn)了芯片溫度和電流強(qiáng)度的同步自動(dòng)測(cè)量,減少了人工干預(yù)造成的誤差,提高了測(cè)量數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性和有效性。而且通過設(shè)置芯片的工作模式,可以對(duì)芯片工作模式進(jìn)行有效控制。
附圖說明
通過參照以下附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的描述,本發(fā)明的上述以及其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將更為清楚,在附圖中:
圖1是本發(fā)明實(shí)施例的測(cè)試設(shè)備的結(jié)構(gòu)圖;
圖2是本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的測(cè)試設(shè)備的結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施方式
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- 專利分類
G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過端—不過端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
G01R31-24 .放電管的測(cè)試
- 控制溫度/濕度或溫度的方法及控制溫度/濕度或溫度的裝置
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