[發明專利]一種異形半導體晶片及其制備方法

有效

• 申請號: 201510242900.1
• 申請日: 2015-05-13
• 公開（公告）號: CN104900492B
• 公開（公告）日: 2018-08-07
• 發明（設計）人: 劉文森;王冰;周鐵軍
• 申請（專利權）人: 北京通美晶體技術有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/304
• 代理公司: 北京北翔知識產權代理有限公司 11285
• 代理人: 王媛;鐘守期

1.一種制備異形半導體晶片的方法，包括以下步驟：

(1)由一種晶棒切割出晶片；

(2)對晶片進行表面研磨加工；

(3)將晶片解理成異形晶片；

(4)對異形晶片進行磨邊處理；和

(5)將異形晶片用一種粘結劑固定在一塊支撐物上，對晶片進行粗拋光，然后進行精拋光，其中所述支撐物為剛性的平板，

其中，所得晶片的厚度為200-750微米，表面微粗糙度為0.2-0.5納米。

2.根據權利要求1的方法，其特征在于，在步驟(1)中的所述晶棒為硅晶棒、鍺晶棒、IIIA-VA族半導體晶棒、碳化硅晶棒或藍寶石晶棒。

3.根據權利要求1的方法，其特征在于，在步驟(1)之后，還進行步驟(1’)：對步驟(1)切出的晶片進行邊緣倒角處理，使晶片邊緣獲得合適的坡度或圓弧。

4.根據權利要求1的方法，其特征在于，支撐物的表面微粗糙度Ra不高于0.5微米。

5.根據權利要求1的方法，其特征在于，在步驟(5)中的所述支撐物由塑料、石英、玻璃、陶瓷或在拋光條件下為惰性的金屬制成。

6.根據權利要求1的方法，其特征在于，在步驟(5)中的所述粘結劑選自天然及合成聚合物。

7.根據權利要求1的方法，還對精拋后的異形晶片進行表面清洗處理。