[發明專利]晶片的加工方法

有效

• 申請號: 201510239228.0
• 申請日: 2015-05-12
• 公開（公告）號: CN105097482B
• 公開（公告）日: 2020-08-14
• 發明（設計）人: 鈴木克彥
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;黃綸偉

本發明提供一種晶片的加工方法，其能夠防止晶片的破損并且能夠充分地確保器件的形成數量。包括：磨削步驟，對晶片(11)的背面(11b)進行磨削來形成與器件區域(13)對應的凹部(23)，并且在晶片的背面側形成與外周剩余區域(15)對應的環狀凸部(25)；以及切斷槽形成步驟，在實施磨削步驟后，在凹部與環狀凸部之間的邊界上形成從晶片的正面(11a)到背面的切斷槽(33)，該切斷槽(33)切斷器件區域和外周剩余區域，切斷槽是通過干蝕刻形成的。

技術領域

本發明涉及較薄地加工晶片的加工方法。

背景技術

近年來，為了實現小型輕量的器件，要求較薄地加工由硅等材料而成的晶片。例如，在由晶片正面的分割預定線(芯片間隔，street)劃分的各區域上形成IC等器件后，對背面側進行磨削，由此使晶片薄化。

然而，通過磨削來使晶片薄化后，剛性大幅地降低而在后續工序中不易操作。因此，提出了如下這樣的加工方法：對與中央的器件區域對應的晶片的背面側進行磨削，并且維持外周部分的厚度，由此在磨削后的晶片上保留規定的剛性(例如，參照專利文獻1)。

在該加工方法中，例如使用直徑比晶片小的磨削輪來對晶片的背面側進行磨削，來形成與器件區域對應的凹部。借助在包圍器件區域的外周剩余區域的背面側殘留的環狀的加強部(環狀凸部)，來保持晶片的剛性。此外，以后通過切削等方法，去除環狀凸部(例如，參照專利文獻2)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2007－19461號公報

專利文獻2：日本特開2011－61137號公報。

發明內容

發明所要解決的問題

在多數情況下與上述的器件區域對應的凹部被形成為以曲面連接底面與側面的形狀。形成這種形狀的凹部的原因是，安裝在磨削輪上的磨削砂輪的角部隨著磨削的進行被磨耗而成為圓形。即，因磨耗而磨削砂輪的角部上形成的圓形部分被轉印到晶片上，在凹部的底面與側面之間的連接部分上產生曲面形狀(R形狀)。

通常，通過在凹部的底面與側面之間的連接部分切入切削刀片，來去除環狀的加強部。然而，當在如上所述的R形狀的連接部分切入切削刀片時，切削刀片被施加因R形狀而產生的彎曲方向的力，導致切削刀片彎曲。因此，有時導致晶片破損。

在凹部的底面中，在避開R形狀的平坦的區域切入切削刀片時，能夠防止因切削刀片的彎曲而產生的晶片的破損等。然而，在該情況下，器件區域變窄而無法充分地確保器件的形成數量。

本發明是鑒于所涉及的問題點而提出的，其目的在于提供一種晶片的加工方法，其能夠防止晶片的破損并且能夠充分地確保器件的形成數量。

用于解決問題的手段

根據本發明，提供一種晶片的加工方法，該晶片具有器件區域和圍繞該器件區域的外周剩余區域，該器件區域在由交叉的多個分割預定線劃分的正面的各區域上分別形成有器件，其特征在于，所述晶片的加工方法包括：正面保護部件配設步驟，在晶片的正面配設正面保護部件；磨削步驟，在實施該正面保護部件配設步驟后，對晶片的背面進行磨削來形成與該器件區域對應的凹部，并且在晶片的背面側形成與該外周剩余區域對應的環狀凸部；切斷槽形成步驟，在實施該磨削步驟后，在該凹部與該環狀凸部之間的邊界處形成用于切斷晶片的該器件區域和該外周剩余區域的切斷槽；分割步驟，在實施該磨削步驟后，在晶片形成沿著該分割預定線的分割槽而沿著該分割預定線對晶片進行分割；以及掩模形成步驟，在實施該切斷槽形成步驟和該分割步驟之前，在晶片的背面形成如下的掩模，該掩模露出了與形成于該凹部和該環狀凸部之間的邊界處的該切斷槽對應的區域以及與該分割預定線對應的區域，該切斷槽和該分割槽是在將該正面保護部件配設在晶片的正面的狀態下通過等離子體蝕刻從晶片的背面側形成的，同時實施該分割步驟與該切斷槽形成步驟。