[發明專利]晶片的加工方法

有效

• 申請號: 201510239228.0
• 申請日: 2015-05-12
• 公開（公告）號: CN105097482B
• 公開（公告）日: 2020-08-14
• 發明（設計）人: 鈴木克彥
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;黃綸偉

1.一種晶片的加工方法，該晶片具有器件區域和圍繞該器件區域的外周剩余區域，該器件區域在由交叉的多個分割預定線劃分的正面的各區域上分別形成有器件，其特征在于，所述晶片的加工方法包括：

正面保護部件配設步驟，在晶片的正面配設正面保護部件；

磨削步驟，在實施該正面保護部件配設步驟后，對晶片的背面進行磨削來形成與該器件區域對應的凹部，并且在晶片的背面側形成與該外周剩余區域對應的環狀凸部；

切斷槽形成步驟，在實施該磨削步驟后，在該凹部與該環狀凸部之間的邊界處形成用于切斷晶片的該器件區域和該外周剩余區域的切斷槽；

分割步驟，在實施該磨削步驟后，在晶片形成沿著該分割預定線的分割槽而沿著該分割預定線對晶片進行分割；以及

掩模形成步驟，在實施該切斷槽形成步驟和該分割步驟之前，在晶片的背面形成如下的掩模，該掩模露出了與形成于該凹部和該環狀凸部之間的邊界處的該切斷槽對應的區域以及與該分割預定線對應的區域，

該切斷槽和該分割槽是在將該正面保護部件配設在晶片的正面的狀態下通過等離子體蝕刻從晶片的背面側形成的，

同時實施該分割步驟與該切斷槽形成步驟。