[發(fā)明專利]一種蝕刻裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510219704.2 | 申請日: | 2015-05-04 |
| 公開(公告)號: | CN104779188B | 公開(公告)日: | 2017-06-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉亮;尹德勝 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京聿宏知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11372 | 代理人: | 吳大建,劉華聯(lián) |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 蝕刻 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于蝕刻技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種蝕刻裝置。
背景技術(shù)
蝕刻也稱光化學(xué)蝕刻,指通過曝光制版、顯影后,將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)膜去除,在蝕刻時接觸化學(xué)混合液,達(dá)到溶解腐蝕的作用,形成凹凸或者鏤空成型的效果。
蝕刻裝置屬于實(shí)施蝕刻技術(shù)的重要裝置。蝕刻裝置包括用于容納蝕刻液的蝕刻槽、連接在蝕刻槽的側(cè)部上的且?guī)в休斔捅玫墓苈泛陀糜谂c管路相連的用于收集廢物(主要由蝕刻后產(chǎn)生的物質(zhì)和處于蝕刻槽底部的老化程度嚴(yán)重的蝕刻液組成)的儲藏罐,以及與儲藏罐相連且用于提取廢物中蝕刻液的壓濾機(jī)。
然而,當(dāng)輸送泵通過管路從蝕刻槽的側(cè)部處抽吸廢物時,輸送泵能使蝕刻槽內(nèi)的蝕刻液產(chǎn)生擾動,導(dǎo)致蝕刻槽內(nèi)的混合液(包括廢物及處于蝕刻槽頂部的輕微老化或未老化的蝕刻液)變渾濁,降低蝕刻槽內(nèi)廢物的排出量,影響蝕刻液的腐蝕效果,進(jìn)而降低蝕刻液的使用壽命。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述部分或全部的問題,本發(fā)明提供了一種蝕刻裝置,其能夠避免蝕刻區(qū)的混合液產(chǎn)生擾動,有效避免蝕刻區(qū)內(nèi)的混合液變渾濁,由此能夠徹底清除蝕刻區(qū)內(nèi)的廢物,避免降低蝕刻液的腐蝕效果,同時還可提高蝕刻液的使用壽命。
本發(fā)明提供了一種蝕刻裝置,該蝕刻裝置包括:用于容納蝕刻液的蝕刻區(qū);形成在蝕刻區(qū)的下方的暫存區(qū),暫存區(qū)的底部上設(shè)有排液口;以及設(shè)置蝕刻區(qū)與暫存區(qū)之間的用于控制蝕刻區(qū)與暫存區(qū)之間的導(dǎo)通狀態(tài)的節(jié)流機(jī)構(gòu)。
在一個實(shí)施例中,上述蝕刻裝置包括具有內(nèi)腔的本體,節(jié)流機(jī)構(gòu)、蝕刻區(qū)和暫存區(qū)均設(shè)置在內(nèi)腔內(nèi)。
在一個實(shí)施例中,節(jié)流機(jī)構(gòu)包括能夠相互接合或脫離的第一擋板和第二擋板,其中節(jié)流機(jī)構(gòu)構(gòu)造成:當(dāng)?shù)谝慌c第二擋板相脫離時,蝕刻區(qū)與暫存區(qū)相連通;當(dāng)?shù)谝慌c第二擋板相接合時,蝕刻區(qū)與暫存區(qū)相隔斷。
在一個實(shí)施例中,第一擋板的第一端和第二擋板的第一端均通過鉸軸與內(nèi)腔的側(cè)壁相連,使得第一和第二擋板能夠在豎直平面內(nèi)擺動,并促使第一擋板的第二端與第二擋板的第二端相接合或相脫離。
在一個實(shí)施例中,第一擋板的第二端上設(shè)有第一凹凸結(jié)構(gòu),第二擋板的第二端上設(shè)有能夠與第一凹凸結(jié)構(gòu)相接合而起密封作用的第二凹凸結(jié)構(gòu)。
在一個實(shí)施例中,內(nèi)腔的側(cè)壁上設(shè)有兩個關(guān)于內(nèi)腔的中軸線對稱的凸起,第一擋板的第一端上和第二擋板的第一端上均設(shè)有能夠以鉸接方式容納相應(yīng)的凸起的凹槽。
在一個實(shí)施例中,當(dāng)?shù)谝粨醢迮c第二擋板相接合時,第一擋板的第二端與第二擋板的第二端的接合位置既低于第一擋板的第一端又低于第二擋板的第一端。
在一個實(shí)施例中,在第一擋板的兩側(cè)設(shè)有防腐密封層,使得第一擋板的兩側(cè)能夠通過防腐密封層與本體的內(nèi)腔的側(cè)壁相接觸,在第二擋板的兩側(cè)也設(shè)有防腐密封層,使得第二擋板的兩側(cè)能夠通過防腐密封層與本體的內(nèi)腔的側(cè)壁相接觸。
在一個實(shí)施例中,暫存區(qū)的底部的橫截面的面積由上至下逐漸遞減,排液口設(shè)于暫存區(qū)的最低位置處。
在一個實(shí)施例中,蝕刻裝置的蝕刻區(qū)用于蝕刻陣列基板制程內(nèi)的半成品或彩膜基板制程內(nèi)的半成品。
根據(jù)本發(fā)明的蝕刻裝置通過節(jié)流機(jī)構(gòu)控制蝕刻區(qū)與暫存區(qū)之間的導(dǎo)通狀態(tài),使得蝕刻區(qū)內(nèi)的廢物可通過自身重量緩慢地流入暫存區(qū)內(nèi),從而能夠避免蝕刻區(qū)的混合液(包括廢物及處于蝕刻區(qū)頂部的輕微老化或未老化的蝕刻液)產(chǎn)生擾動,有效避免蝕刻區(qū)的混合液出現(xiàn)渾濁,由此可以徹底地清除蝕刻區(qū)內(nèi)的廢物,避免降低蝕刻液的腐蝕效果,同時還可提高蝕刻液的使用壽命。
根據(jù)本發(fā)明的蝕刻裝置的結(jié)構(gòu)簡單,制造方便,使用安全可靠,成本低廉,便于實(shí)施推廣應(yīng)用。
附圖說明
在下文中將基于實(shí)施例并參考附圖來對本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的描述。其中:
圖1是根據(jù)本發(fā)明的蝕刻裝置的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖,此時節(jié)流機(jī)構(gòu)處于關(guān)閉狀態(tài);
圖2是根據(jù)本發(fā)明的蝕刻裝置的實(shí)施例的俯視圖;以及
圖3是根據(jù)本發(fā)明的蝕刻裝置的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖,此時節(jié)流機(jī)構(gòu)處于打開狀態(tài)。
在附圖中相同的部件使用相同的附圖標(biāo)記。附圖并未按照實(shí)際的比例繪制。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





