[發明專利]一種蝕刻裝置有效
| 申請號: | 201510219704.2 | 申請日: | 2015-05-04 |
| 公開(公告)號: | CN104779188B | 公開(公告)日: | 2017-06-16 |
| 發明(設計)人: | 劉亮;尹德勝 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京聿宏知識產權代理有限公司11372 | 代理人: | 吳大建,劉華聯 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 蝕刻 裝置 | ||
1.一種蝕刻裝置,包括:
用于容納蝕刻液的蝕刻區;
形成在所述蝕刻區的下方的暫存區,所述暫存區的底部上設有排液口;以及
設置在所述蝕刻區與暫存區之間的用于控制所述蝕刻區與暫存區之間的導通狀態的節流機構,
所述節流機構包括能夠相互接合或脫離的第一擋板和第二擋板,其中所述節流機構構造成:當所述第一與第二擋板相脫離時,所述蝕刻區與暫存區相連通;當所述第一與第二擋板相接合時,所述蝕刻區與暫存區相隔斷。
2.根據權利要求1所述的蝕刻裝置,其特征在于,包括具有內腔的本體,所述節流機構、所述蝕刻區和所述暫存區均設置在所述內腔內。
3.根據權利要求2所述的蝕刻裝置,其特征在于,所述第一和第二擋板的第一端均通過鉸軸與所述內腔的側壁相連,使得所述第一和第二擋板能夠在豎直平面內擺動,并促使所述第一擋板的第二端與所述第二擋板的第二端相接合或相脫離。
4.根據權利要求3所述的蝕刻裝置,其特征在于,所述第一擋板的第二端上設有第一凹凸結構,所述第二擋板的第二端上設有能夠與所述第一凹凸結構相接合而起密封作用的第二凹凸結構。
5.根據權利要求3所述的蝕刻裝置,其特征在于,所述內腔的側壁上設有兩個關于所述內腔的中軸線對稱的凸起,所述第一和第二擋板上均設有能夠以鉸接方式容納相應的所述凸起的凹槽。
6.根據權利要求3所述的蝕刻裝置,其特征在于,當所述第一擋板與所述第二擋板相接合時,所述第一擋板的第二端與所述第二擋板的第二端的接合位置既低于所述第一擋板的第一端又低于所述第二擋板的第一端。
7.根據權利要求2到6中任一項所述的蝕刻裝置,其特征在于,在所述第一擋板的兩側設有防腐密封層,使得所述第一擋板的兩側能夠通過所述防腐密封層與所述內腔的側壁相接觸,在所述第二擋板的兩側也設有防腐密封層,使得所述第二擋板的兩側能夠通過所述防腐密封層與所述內腔的側壁相接觸。
8.根據權利要求1到6中任一項所述的蝕刻裝置,其特征在于,所述暫存區的底部的橫截面的面積由上至下逐漸遞減,所述排液口設于所述暫存區的最低位置處。
9.根據權利要求1到6中任一項所述的蝕刻裝置,其特征在于,所述蝕刻裝置的所述蝕刻區用于蝕刻陣列基板制程內的半成品或彩膜基板制程內的半成品。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





