[發(fā)明專利]用于制造相機(jī)的晶圓級(jí)接合方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510218251.1 | 申請(qǐng)日: | 2015-04-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN105097857B | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-08-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 艾倫·馬汀;愛(ài)德華·納賓漢 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 豪威科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/146 | 分類號(hào): | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 宋融冰 |
| 地址: | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 制造 相機(jī) 晶圓級(jí) 接合 方法 | ||
一種用于制造多個(gè)相機(jī)的晶圓級(jí)方法,包括修改影像傳感器晶圓,以減少影像傳感器晶圓翹曲的風(fēng)險(xiǎn),并將影像傳感器晶圓接合到透鏡晶圓,以形成包括多個(gè)相機(jī)的復(fù)合晶圓。一種用于制造多個(gè)相機(jī)的晶圓級(jí)方法,包括使用壓敏粘合劑將影像傳感器晶圓接合到透鏡晶圓,以形成包括多個(gè)相機(jī)的復(fù)合晶圓。
背景技術(shù)
一種用于制造多個(gè)相機(jī)的晶圓級(jí)方法,包括修改影像傳感器晶圓,以減少影像傳感器晶圓翹曲的風(fēng)險(xiǎn),并將影像傳感器晶圓接合到透鏡晶圓,以形成包括多個(gè)相機(jī)的復(fù)合晶圓。一種用于制造多個(gè)相機(jī)的晶圓級(jí)方法,包括使用壓敏粘合劑將影像傳感器晶圓接合到透鏡晶圓,以形成包括多個(gè)相機(jī)的復(fù)合晶圓。
發(fā)明內(nèi)容
在一個(gè)實(shí)施例中,一種用于制造多個(gè)相機(jī)的晶圓級(jí)方法是包括修改影像傳感器晶圓,以減少所述影像傳感器晶圓翹曲的風(fēng)險(xiǎn),以及將所述影像傳感器晶圓接合到透鏡晶圓,以形成包括多個(gè)相機(jī)的復(fù)合晶圓。
在一個(gè)實(shí)施例中,一種用于制造多個(gè)相機(jī)的晶圓級(jí)方法包括使用壓敏粘合劑將影像傳感器晶圓接合到透鏡晶圓,以形成包括多個(gè)相機(jī)的復(fù)合晶圓。
附圖說(shuō)明
圖1為根據(jù)一實(shí)施例繪示的一種使用晶圓級(jí)透鏡對(duì)影像傳感器接合的用于制造多個(gè)相機(jī)的晶圓級(jí)接合方法。
圖2為根據(jù)一實(shí)施例繪示的一種用于制造相機(jī)的晶圓級(jí)接合方法。
圖3為根據(jù)一實(shí)施例繪示的一種修改影像傳感器晶圓以減少所述影像傳感器晶圓翹曲風(fēng)險(xiǎn)的方法。
圖4A和4B分別為根據(jù)一實(shí)施例繪示的具有一或多個(gè)應(yīng)力緩和溝槽的影像傳感器晶圓的俯視圖和側(cè)面剖視圖。
圖5為根據(jù)一實(shí)施例繪示的一種用于制造相機(jī)的晶圓級(jí)接合方法,其利用壓敏粘合劑將影像傳感器晶圓接合到透鏡晶圓。
圖6為根據(jù)一實(shí)施例繪示的影像傳感器與封裝所述影像傳感器的焊點(diǎn)凸塊的保護(hù)層。
圖7為根據(jù)一實(shí)施例繪示圖5的方法的一實(shí)施例,其中壓敏粘合劑是在透鏡晶圓與影像傳感器晶圓接合之前涂布于透鏡晶圓上,且所述方法包括減少在所述壓敏粘合劑中氣泡的捕集的步驟。
圖8為根據(jù)一實(shí)施例繪示的一種用于光學(xué)式對(duì)準(zhǔn)影像傳感器晶圓與晶圓透鏡的方法。
圖9A和9B為根據(jù)一實(shí)施例繪示的圖8方法的簡(jiǎn)圖。
圖10為根據(jù)一實(shí)施例繪示的一種根據(jù)圖2的方法的一種實(shí)施例制成的相機(jī)。
具體實(shí)施方式
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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