[發明專利]用于制造相機的晶圓級接合方法有效
| 申請號: | 201510218251.1 | 申請日: | 2015-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN105097857B | 公開(公告)日: | 2018-08-24 |
| 發明(設計)人: | 艾倫·馬汀;愛德華·納賓漢 | 申請(專利權)人: | 豪威科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 宋融冰 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 制造 相機 晶圓級 接合 方法 | ||
1.一種用于制造多個相機的晶圓級方法,其包括:
在具有使用多個影像傳感器的傳感器層以及設置在所述傳感器層上的覆蓋玻璃層的影像傳感器晶圓中形成至少一個應力減輕的切口,以減少所述影像傳感器晶圓翹曲的風險,所述至少一個應力減輕的切口穿過所述傳感器層并在所述覆蓋玻璃層形成溝槽;以及
使用壓敏粘合劑將所述影像傳感器晶圓接合到透鏡晶圓,以形成包括多個相機的復合晶圓。
2.根據權利要求1所述的晶圓級方法,至少一個切口位于所述影像傳感器晶圓不與影像傳感器的任一個重迭的部分。
3.根據權利要求1所述的晶圓級方法,形成至少一個切口的步驟包括施加至少一個第一切口,其沿著第一方向橫跨所述影像傳感器晶圓的平面寬度。
4.根據權利要求3所述的晶圓級方法,施加至少一個切口的步驟更包括施加至少一個第二切口,其沿著第二方向橫跨所述影像傳感器晶圓的平面寬度,且所述第二方向不同于所述第一方向。
5.根據權利要求1所述的晶圓級方法,更包括覆蓋保護層于所述影像傳感器晶圓上,以降低在所述接合步驟中所述影像傳感器晶圓破裂的風險,所述保護層封裝所述影像傳感器晶圓的焊點凸塊。
6.根據權利要求5所述的晶圓級方法,所述保護層是紫外光可釋放膠帶,所述晶圓級方法在所述接合步驟之后更包括以紫外光除去所述保護層。
7.根據權利要求1所述的晶圓級方法,更包括用光學方法對準所述影像傳感器晶圓與所述透鏡晶圓。
8.根據權利要求7所述的晶圓級方法,所述對準的步驟包括借由通過所述透鏡晶圓的光學路徑,使所述透鏡晶圓的至少兩個對準標記對準所述影像傳感器晶圓的兩個影像傳感器。
9.根據權利要求8所述的晶圓級方法,更包括涂布光學性透明的粘合劑于所述透鏡晶圓上,所述接合的步驟包括使用所述光學性透明的粘合劑將所述影像傳感器晶圓接合于所述透鏡晶圓,所述對準的步驟是在所述涂布光學性透明的粘合劑的步驟之后及所述接合步驟之前執行。
10.根據權利要求9所述的晶圓級方法,所述光學性透明的粘合劑為壓敏粘合劑。
11.根據權利要求1所述的晶圓級方法,在形成的步驟中,設置在所述傳感器層的覆蓋玻璃層與所述傳感器層直接接觸。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于豪威科技股份有限公司,未經豪威科技股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510218251.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





