[發明專利]一種電源門控電路有效
| 申請號: | 201510217339.1 | 申請日: | 2015-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN104850210B | 公開(公告)日: | 2017-12-01 |
| 發明(設計)人: | 王新入;唐樣洋;張臣雄 | 申請(專利權)人: | 華為技術有限公司 |
| 主分類號: | G06F1/32 | 分類號: | G06F1/32;H03K19/00 |
| 代理公司: | 深圳市深佳知識產權代理事務所(普通合伙)44285 | 代理人: | 王仲凱 |
| 地址: | 518129 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電源 門控 電路 | ||
1.一種電源門控電路,其特征在于,包括:
電壓輸出模塊和電壓控制模塊;
所述電壓輸出模塊包括:電源和至少兩個開關;所述至少兩個開關用于將所述電源輸出的電源電壓(VDD)調制為負載所需的供電電壓(Vo);
所述電壓控制模塊包括:第一信號調制單元;所述第一信號調制單元用于根據脈寬調制頻率(Fsw)生成第一控制信號,所述第一控制信號為經脈寬調制的多相位控制信號;
所述電壓輸出模塊用于向負載輸出所述供電電壓(Vo);所述電壓控制模塊用于向所述至少兩個開關輸出電壓控制信號,所述電壓控制信號包括所述第一控制信號,所述第一控制信號通過在高電平和低電平之間的切換,控制所述至少兩個開關中相應開關的導通或關斷,且所述第一控制信號在所述高電平或所述低電平其中一種電平信號的持續時間,表示所述至少兩個開關中相應開關的導通時間或關斷時間。
2.根據所述權利要求1所述的電源門控電路,其特征在于,
所述開關包括:P溝道金屬氧化半導體PMOS晶體管,N溝道金屬氧化半導體NMOS晶體管,或多閾值電壓MTCMOS晶體管;
所述至少兩個開關的連接關系包括:串聯關系,并聯關系或串并聯關系。
3.根據所述權利要求1或2所述的電源門控電路,其特征在于,
當所述至少兩個開關中存在串聯關系的開關時,一個所述第一控制信號用于控制一組串聯關系的開關;
和/或,
當所述至少兩個開關中存在并聯關系的開關時,N個所述第一控制信號用于分別控制N組開關,所述N組開關相互為并聯關系,所述N為大于一的整數,并且在N個所述第一控制信號的控制下,所述N組開關的導通時間之間存在相位差。
4.根據所述權利要求1所述的電源門控電路,其特征在于,
所述電壓控制模塊還包括:電壓檢測單元;所述電壓檢測單元用于檢測所述電壓輸出模塊輸出的供電電壓(Vo);
所述第一信號調制單元還用于根據脈寬調制頻率(Fsw),參考電壓(Vref)以及所述供電電壓(Vo)生成經脈寬調制的第一控制信號。
5.根據所述權利要求4所述的電源門控電路,其特征在于,所述第一信號調制單元,包括:
第一運算放大器,振蕩發生器和脈寬調制比較器;
所述第一運算放大器用于對所述參考電壓(Vref)和所述供電電壓(Vo)做差值運算;
所述振蕩發生器用于根據所述脈寬調制頻率(Fsw)生成周期性波形信號;
所述脈寬調制比較器用于將所述參考電壓(Vref)和所述供電電壓(Vo)的差值,與所述周期性波形信號做比較,生成所述第一控制信號。
6.根據所述權利要求4所述的電源門控電路,其特征在于,所述第一信號調制單元,包括:
模數轉換器,數字比較器,數字振蕩發生器,數字脈寬調制控制器和第一存儲器;
所述模數轉換器用于將輸入的所述參考電壓(Vref)和所述供電電壓(Vo)轉換為數字信號;
所述數字比較器用于對轉換為數字信號的所述參考電壓(Vref)和所述供電電壓(Vo)做差值運算;
所述數字振蕩發生器用于根據所述脈寬調制頻率(Fsw)生成周期性波形信號;
所述數字脈寬調制控制器用于將所述參考電壓(Vref)和所述供電電壓(Vo)的差值,與所述周期性波形信號做比較,得到信號比較結果,并在所述第一存儲器存儲的控制信號查找表中查找與所述信號比較結果相對應的第一控制信號;
所述第一存儲器用于存儲第一信號查找表,所述第一信號查找表中記載了所述信號比較結果與所述第一控制信號的對應關系。
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