[發明專利]基板處理裝置和基板處理裝置的基板檢測方法有效
| 申請號: | 201510217216.8 | 申請日: | 2015-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN105047585B | 公開(公告)日: | 2019-12-10 |
| 發明(設計)人: | 久留巣健人;森公平 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司: | 11277 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 檢測 方法 | ||
本發明提供一種可靠地檢測有無被基板處理裝置處理的基板的基板處理裝置和基板處理裝置的基板檢測方法。液處理裝置(1)包括:基板保持旋轉部(23),其具有旋轉板(23P)和基板支持部(51);以及液體供給部(24)。旋轉板(23P)與旋轉軸(23S)相連結,旋轉軸(23S)的中央部經由旋轉板(23P)的開口(29)向外方暴露。在該旋轉軸(23S)的中央部安裝有環狀的回歸反射片(30)。自斜上方向回歸反射片(30)照射激光,利用激光投射接收部(26a)接收來自回歸反射片(30)的反射光,并利用基板檢測部(17a)來檢測有無晶圓(W)。
技術領域
本發明涉及一種用于對半導體晶圓、平板顯示器用玻璃基板等基板進行處理的基板處理裝置和基板處理裝置的基板檢測方法。
背景技術
在制造半導體集成電路、平板顯示器的工序中,使用液體對基板進行液處理。為了進行這種處理而使用單片式的液處理裝置,該單片式的液處理裝置具有:旋轉板;基板支承部,其設于旋轉板的周緣、用于支承基板的外周部;液體供給部,其用于對由基板支承部支承的基板供給液體;以及杯部,其用于接收供給到基板上的、因基板的旋轉而飛散的液體。
另外,在液處理裝置中,設有用于檢測有無被基板支承部支承著的基板的檢測裝置。
專利文獻1:日本特許2920855號公報
發明內容
以往,作為用于檢測有無設于液處理裝置的基板的檢測裝置設置為利用供給管,該供給管以貫穿設置有基板的旋轉板的方式設置。即,自在設置于旋轉板的基板的上方設置的光投射部投射光并將該光引導至供給管內,利用位于基板的下方且設于供給管下方的光接收部來接收光。由此來檢測有無基板。
然而,在使用以貫穿旋轉板的方式設置的供給管來向基板供給例如DIW的情況下,難以將光引導至供給管內,從而不能將光引導至供給管內而不能檢測有無基板。
本發明是考慮到這樣的點而做出的,其目的在于,提供一種能夠可靠地檢測有無應該由基板支承部支承的基板的基板處理裝置和基板處理裝置的基板檢測方法。
本發明提供一種基板處理裝置,其特征在于,該基板處理裝置包括:基板保持旋轉部,其具有能夠旋轉的旋轉板和用于將基板支承于所述旋轉板的上方的基板支承部;以及基板處理部,其用于對由所述基板支承部支承著的所述基板進行處理,在由所述基板支承部支承著的所述基板的下方配置有環狀的回歸反射片,在由所述基板支承部支承著的所述基板的上方設有光投射部和光接收部,該光投射部用于自所述回歸反射片的斜上方對所述回歸反射片投射具有恒定的入射角的入射光,該光接收部用于自所述回歸反射片接收向與入射角所對應的方向相反的方向反射的反射光,基板檢測部根據被所述光接收部接收的反射光的強度來檢測有無所述基板。
本發明提供一種基板處理裝置的基板檢測方法,該基板處理裝置包括:基板保持旋轉部,其具有能夠旋轉的旋轉板和用于將基板支承于上方的基板支承部;以及基板處理部,其用于對由所述基板支承部支承著的所述基板進行處理,在由所述基板支承部支承著的所述基板的下方配置環狀的回歸反射片,在由所述基板支承部支承著的所述基板的上方設置光投射部和光接收部,該光投射部用于自所述回歸反射片的斜上方對所述回歸反射片投射具有恒定的入射角的入射光,該光接收部用于自所述回歸反射片接收向與入射角所對應的方向相反的方向反射的反射光,其特征在于,該基板處理裝置的基板檢測方法包括以下步驟:利用光投射部自所述回歸反射片的斜上方對所述回歸反射片投射入射光;利用光接收部接收來自所述回歸反射片的反射光;以及基板檢測部根據被所述光接收部接收的反射光的強度來檢測有無所述基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





