[發明專利]NMOS器件及工藝方法在審
| 申請號： | 201510215783.X | 申請日： | 2015-04-29 |
| 公開（公告）號： | CN104851916A | 公開（公告）日： | 2015-08-19 |
| 發明（設計）人： | 石晶;錢文生 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁紀鐵 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | nmos 器件 工藝 方法 | ||
1.一種NMOS器件，在P型襯底上具有P型外延，所述P型外延中具有P阱，以及位于P阱兩側的N阱，所述的N阱表面具有場氧；場氧之間具有所述NMOS器件的柵氧化層；柵氧化層上為多晶硅柵極，多晶硅柵極兩端具有側墻；
其特征在于：所述的柵氧化層為中間薄，靠近場氧的兩端厚的形貌。
2.如權利要求1所述的NMOS器件，其特征在于：所述柵氧化層靠近場氧的部分厚度為中間部分的厚度為
3.如權利要求1所述的NMOS器件的工藝方法，其特征在于：包含如下工藝步驟：
第1步，在P型硅襯底上生長P型外延層；
第2步，利用光刻膠定義出阱區，分別進行N阱和P阱的注入；
第3步，在N阱表面形成場氧；
第4步，在場氧之間的硅表面生長柵氧化層；
第5步，通過光刻定義去除溝道區上方的柵氧化層，并再進行柵氧氧化；
第6步，淀積多晶硅并刻蝕，形成多晶硅柵極；
第7步，在多晶硅柵極兩端形成側墻；
第8步，進行源區及漏區離子注入。
4.如權利要求3所述的NMOS器件的制造方法，其特征在于：所述第1步能夠省略，直接在P型襯底上進行下一步驟。
5.如權利要求3所述的NMOS器件的制造方法，其特征在于：所述第5步中，再進行的柵氧氧化形成的柵氧化層厚度小于第4步形成的柵氧化層厚度。
6.如權利要求3所述的NMOS器件的制造方法，其特征在于：所述第8步中，源區及漏區的離子注入雜質為磷或砷，注入能量≤200KeV，注入劑量為1x1013～1x1016cm-2。
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