[發(fā)明專利]一種地下電性薄層的識(shí)別方法和裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201510210282.2 | 申請(qǐng)日: | 2015-04-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104793254B | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-08-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 薛國(guó)強(qiáng);閆述;鐘華森;底青云;侯東洋 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院地質(zhì)與地球物理研究所 |
| 主分類號(hào): | G01V3/38 | 分類號(hào): | G01V3/38 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 100000 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 地下 薄層 識(shí)別 方法 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及地質(zhì)探測(cè)領(lǐng)域,具體涉及一種地下電性薄層的識(shí)別方法和裝置。
背景技術(shù)
薄層地質(zhì)結(jié)構(gòu)體的有效探測(cè)問(wèn)題一直是地球物理方法應(yīng)用中面臨的重要問(wèn)題。目前,現(xiàn)有技術(shù)主要是通過(guò)正演模擬計(jì)算的方法,獲得不同情況下薄層的響應(yīng),以利用理論計(jì)算結(jié)果來(lái)指導(dǎo)資料解釋。然而,在實(shí)際探測(cè)工作中,尚沒(méi)有針對(duì)地下電性薄層的有效探測(cè)或識(shí)別的技術(shù)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種地下電性薄層的識(shí)別方法和裝置,其目的是解決現(xiàn)有技術(shù)中尚不存在有效地實(shí)際探測(cè)或識(shí)別地下電性薄層的技術(shù)的問(wèn)題。
為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的,本發(fā)明采取的技術(shù)方案如下:
一種地下電性薄層的識(shí)別方法,該識(shí)別方法包括:獲取或接收通過(guò)在待測(cè)地區(qū)進(jìn)行瞬變電磁測(cè)深所得到的不同延遲時(shí)間對(duì)應(yīng)的實(shí)測(cè)衰減電壓數(shù)據(jù);根據(jù)實(shí)測(cè)衰減電壓數(shù)據(jù)及其觀測(cè)誤差,確定實(shí)測(cè)衰減電壓數(shù)據(jù)中所能識(shí)別的薄層數(shù)據(jù);以及在能識(shí)別的薄層數(shù)據(jù)中,根據(jù)每?jī)蓚€(gè)相鄰薄層數(shù)據(jù)的延遲時(shí)間,確定待測(cè)地區(qū)中所能識(shí)別的每個(gè)薄層的厚度。
優(yōu)選地,根據(jù)實(shí)測(cè)衰減電壓數(shù)據(jù)及其觀測(cè)誤差來(lái)確定實(shí)測(cè)衰減電壓數(shù)據(jù)中所能識(shí)別的薄層數(shù)據(jù)的步驟包括:將不同延遲時(shí)間對(duì)應(yīng)的實(shí)測(cè)衰減電壓數(shù)據(jù)按預(yù)定順序排序;依次針對(duì)排序后的實(shí)測(cè)衰減電壓數(shù)據(jù)中除首尾數(shù)據(jù)之外的每一個(gè)數(shù)據(jù),以該數(shù)據(jù)和該數(shù)據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)差的乘積作為判據(jù),判斷該數(shù)據(jù)前后兩個(gè)數(shù)據(jù)的平均值與該數(shù)據(jù)之差的絕對(duì)值是否小于該判據(jù):若是,則通過(guò)在排序后的實(shí)測(cè)衰減電壓數(shù)據(jù)中刪除該數(shù)據(jù)來(lái)更新排序后的實(shí)測(cè)衰減電壓數(shù)據(jù);以及將排序后的實(shí)測(cè)衰減電壓數(shù)據(jù)經(jīng)過(guò)最后一次更新后所包括的各個(gè)實(shí)測(cè)衰減電壓數(shù)據(jù)確定為能識(shí)別的薄層數(shù)據(jù)。
優(yōu)選地,根據(jù)實(shí)測(cè)衰減電壓數(shù)據(jù)及其觀測(cè)誤差來(lái)確定實(shí)測(cè)衰減電壓數(shù)據(jù)中所能識(shí)別的薄層數(shù)據(jù)的步驟包括:獲得實(shí)測(cè)衰減電壓數(shù)據(jù)關(guān)于時(shí)間的TEM(Transient electromagnetic method,瞬變電磁法)曲線,并為T(mén)EM曲線的時(shí)間道編號(hào)為1、2、…、N,對(duì)應(yīng)的延遲時(shí)間分別為t(1)、t(2)、…、t(N),N為時(shí)間道總數(shù);對(duì)Vt(2)至Vt(N-1)依次進(jìn)行替換判斷:當(dāng)對(duì)Vt(k+1)進(jìn)行替換判斷時(shí),若Vt(k)和Vt(k+2)的平均值與Vt(k+1)之差的絕對(duì)值小于Vt(k+1)對(duì)應(yīng)的判據(jù)時(shí),在TEM曲線中舍去Vt(k+1)以及對(duì)應(yīng)的t(k+1),并將Vt(k+2)至Vt(N)的時(shí)間道編號(hào)分別替換為各自原來(lái)編號(hào)減1后所得的值,然后繼續(xù)對(duì)替換后的Vt(k+2)進(jìn)行替換判斷,其中k∈{1,2,…,N-2};若Vt(k)和Vt(k+2)的平均值與Vt(k+1)之差的絕對(duì)值大于或等于Vt(k+1)對(duì)應(yīng)的判據(jù)時(shí),繼續(xù)對(duì)Vt(k+2)進(jìn)行替換判斷;其中,Vt(k+1)對(duì)應(yīng)的判據(jù)為Vt(k+1)與Vt(k+1)對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)差的乘積,V為實(shí)測(cè)衰減電壓;以及將經(jīng)過(guò)最后一次替換判斷后的TEM曲線中包括的各個(gè)實(shí)測(cè)衰減電壓數(shù)據(jù)確定為能識(shí)別的薄層數(shù)據(jù)。
優(yōu)選地,確定待測(cè)地區(qū)中所能識(shí)別的每個(gè)薄層的厚度的步驟包括:在按時(shí)間先后排序后的能識(shí)別的薄層數(shù)據(jù)中,針對(duì)每?jī)蓚€(gè)相鄰薄層數(shù)據(jù),根據(jù)該兩個(gè)相鄰薄層數(shù)據(jù)各自的延遲時(shí)間,分別計(jì)算該兩個(gè)相鄰薄層數(shù)據(jù)各自對(duì)應(yīng)的探測(cè)深度,以利用該兩個(gè)相鄰薄層數(shù)據(jù)各自對(duì)應(yīng)的探測(cè)深度之差確定該兩個(gè)相鄰薄層數(shù)據(jù)之間對(duì)應(yīng)的薄層的厚度。
優(yōu)選地,確定待測(cè)地區(qū)中所能識(shí)別的每個(gè)薄層的厚度的步驟包括:在按時(shí)間先后排序后的能識(shí)別的薄層數(shù)據(jù)中,用V(t1)和V(t2)表示任意兩個(gè)相鄰薄層數(shù)據(jù),其中t1和t2分別為V(t1)和V(t2)對(duì)應(yīng)的延遲時(shí)間,且t1<t2,d1和d2分別為該兩個(gè)相鄰薄層數(shù)據(jù)各自對(duì)應(yīng)的探測(cè)深度,根據(jù)如下公式計(jì)算V(t1)和V(t2)之間對(duì)應(yīng)的薄層的厚度:
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