[發明專利]一種地下電性薄層的識別方法和裝置

有效

• 申請號: 201510210282.2
• 申請日: 2015-04-28
• 公開（公告）號: CN104793254B
• 公開（公告）日: 2017-08-25
• 發明（設計）人: 薛國強;閆述;鐘華森;底青云;侯東洋
• 申請（專利權）人: 中國科學院地質與地球物理研究所
• 主分類號: G01V3/38
• 分類號: G01V3/38
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種地下電性薄層的識別方法，其特征在于，所述識別方法包括：

獲取通過在待測地區進行瞬變電磁測深所得到的不同延遲時間對應的實測衰減電壓數據；

根據所述實測衰減電壓數據及其觀測誤差，確定所述實測衰減電壓數據中所能識別的薄層數據；以及

在所述能識別的薄層數據中，根據每兩個相鄰薄層數據的延遲時間，確定所述待測地區中所能識別的每個薄層的厚度；

所述根據所述實測衰減電壓數據及其觀測誤差來確定所述實測衰減電壓數據中所能識別的薄層數據的步驟包括：

將所述不同延遲時間對應的實測衰減電壓數據按預定順序排序；

依次針對排序后的實測衰減電壓數據中除首尾數據之外的每一個數據，以該數據和該數據的標準差的乘積作為判據，判斷該數據前后兩個數據的平均值與該數據之差的絕對值是否小于該判據：若是，則通過在所述排序后的實測衰減電壓數據中刪除該數據來更新所述排序后的實測衰減電壓數據，若否，則繼續對后一個數據進行替換判斷；以及

將所述排序后的實測衰減電壓數據經過最后一次更新后所包括的各個實測衰減電壓數據確定為所述能識別的薄層數據；

所述確定所述待測地區中所能識別的每個薄層的厚度的步驟包括：

在按時間先后排序后的所述能識別的薄層數據中，用V(t₁)和V(t₂)表示任意兩個相鄰薄層數據，其中t₁和t₂分別為V(t₁)和V(t₂)對應的延遲時間，且t₁＜t₂，d₁和d₂分別為該兩個相鄰薄層數據各自對應的探測深度，根據如下公式計算V(t₁)和V(t₂)之間對應的薄層的厚度：

h_薄層為薄層厚度，μ₀為真空磁導率，L為發射回線邊長，q為探頭有效接收面積，I為發射電流。

2.根據權利要求1所述的識別方法，其特征在于，所述根據所述實測衰減電壓數據及其觀測誤差來確定所述實測衰減電壓數據中所能識別的薄層數據的步驟包括：

獲得實測衰減電壓數據關于時間的TEM曲線，并為所述TEM曲線的時間道編號為1、2、...、N，對應的延遲時間分別為t(1)、t(2)、...、t(N)，N為時間道總數；

對V_t(2)至V_t(N-1)依次進行替換判斷：當對V_t(k+1)進行替換判斷時，若V_t(k)和V_t(k+2)的平均值與V_t(k+1)之差的絕對值小于V_t(k+1)對應的判據時，在所述TEM曲線中舍去V_t(k+1)以及對應的t(k+1)，并將V_t(k+2)至V_t(N)的時間道編號分別替換為各自原來編號減1后所得的值，然后繼續對替換后的V_t(k+2)進行替換判斷，其中k∈{1，2，...，N-2}；若V_t(k)和V_t(k+2)的平均值與V_t(k+1)之差的絕對值大于或等于V_t(k+1)對應的判據時，繼續對V_t(k+2)進行替換判斷；其中，V_t(k+1)對應的判據為V_t(k+1)與V_t(k+1)對應的標準差的乘積，V為實測衰減電壓；以及

將經過最后一次替換判斷后的TEM曲線中包括的各個實測衰減電壓數據確定為所述能識別的薄層數據。