[發明專利]一種快速檢測SiO2膜厚及膜層致密性的方法

在審

• 申請號: 201510188221.0
• 申請日: 2015-04-20
• 公開（公告）號: CN104865178A
• 公開（公告）日: 2015-08-26
• 發明（設計）人: 胡超川;傅強;李加海;朱磊;金艷芳;王丹
• 申請（專利權）人: 安徽立光電子材料股份有限公司
• 主分類號: G01N17/00
• 分類號: G01N17/00
• 代理公司: 安徽信拓律師事務所 34117
• 代理人: 鞠翔

技術領域

本發明涉及磁控濺射鍍膜工業生產中快速檢測膜厚及膜層致密性技術領域，尤其涉及一種快速檢測SiO₂膜厚及膜層致密性的方法。

背景技術

隨著電子化信息產業快速發展，智能家居應用越來越廣泛，家電顯示中儀表使用越來越多，一般LCD液晶顯示及觸控類產品均需要在鍍制ITO前覆蓋一層SiO₂膜，起到阻擋鈉離子析出、增強附著力作用，工業生產中均采用油性筆制作臺階測試物性膜厚。

目前行業內多為使用油性筆劃線制作樣品進行鍍膜，完成后擦除油性筆印記制作臺階，測試臺階深度即為物性膜厚，但此種方式需制作樣品，無法快速對膜層厚度進行測試，且這種方式只能測試膜層物性膜厚，無法對膜層致密性進行評價。

發明內容

本發明的目的在于提供一種快速檢測SiO₂膜厚及膜層致密性的方法，以解決上述技術問題。使用HF酸檢測對膜層進行蝕刻，測試膜層深度并評價膜層致密性。

本發明所要解決的技術問題采用以下技術方案來實現：

一種快速檢測SiO2膜厚及膜層致密性的方法，其特征在于，測試方法步驟如下：

1)酸液準備

選取分析純，配制比例為HF：HNO₃：DI水＝2.4％：1.6％：96％，將配置好的酸液存放于塑料杯中；

2)臺階制作

將待檢測的樣片切割成小片，并在其表面平行粘貼兩條膠帶，制作成臺階，兩膠帶間距為1mm，膠帶沿同一方向壓實，要保持臺階邊緣平整；

3)酸液加熱

開啟水浴鍋加熱，將溫度設定為30℃，并將盛有酸液的塑料杯放入加熱；通過溫度計確認酸液的溫度達30±2℃，方可開始實驗；溫度確認時眼睛視線應垂直于溫度計刻度線；

4)SiO₂膜層致密性評價

玻璃SiO₂膜層在酸液中反應速率明顯慢于玻璃的反應速率，玻璃蝕刻速率為SiO₂膜蝕刻速率為將制作好的臺階置于指定溫度的酸液中浸泡，檢測蝕刻速率時浸泡時間規定為50s、70s、90s、110s，推斷SiO2膜厚時實驗時間根據實驗情況決定，起始時間定為50s，90s內為合格。

本發明的有益效果是：

1.快速檢測

使用此方法，在線生產中可以直接使用生產過程中表觀不良玻璃進行測試，無需再次使用油性筆劃線制作臺階完成樣品，大大提高測試效率，提升產能；

2.減少污染

以往技術均需要使用油性筆劃線制作臺階檢測膜厚，這種載片需要重新制作且油性筆存在放氣問題，真空鍍膜中會對真空箱體內氣氛產生影響，影響膜層附著力同時造成電阻率過高，本發明解決了該問題。

附圖說明

圖1為本發明樣片粘貼膠帶的示意圖。

具體實施方式

為了使本發明實現的技術手段、創作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面結合具體實施例和附圖，進一步闡述本發明，但下述實施例僅僅為本發明的優選實施例，并非全部。基于實施方式中的實施例，本領域技術人員在沒有做出創造性勞動的前提下所獲得其它實施例，都屬于本發明的保護范圍。

一種快速檢測SiO₂膜厚及膜層致密性的方法，測試方法步驟如下：

1)酸液準備

選取分析純，配制比例為HF：HNO₃：DI水＝2.4％：1.6％：96％，將配置好的酸液存放于塑料杯中；

2)臺階制作(如圖1所示)

將待檢測的樣片切割成小片，并在其表面平行粘貼兩條膠帶，制作成臺階，兩膠帶間距為1mm，膠帶沿同一方向壓實，要保持臺階邊緣平整；

3)酸液加熱

開啟水浴鍋加熱，將溫度設定為30℃，并將盛有酸液的塑料杯放入加熱；通過溫度計確認酸液的溫度達30±2℃，方可開始實驗；溫度確認時眼睛視線應垂直于溫度計刻度線；

4)SiO₂膜層致密性評價

玻璃SiO₂膜層在酸液中反應速率明顯慢于玻璃的反應速率，玻璃蝕刻速率為SiO₂膜蝕刻速率為將制作好的臺階置于指定溫度的酸液中浸泡，檢測蝕刻速率時浸泡時間規定為50s、70s、90s、110s，推斷SiO2膜厚時實驗時間根據實驗情況決定，起始時間定為50s，90s內為合格。

圖1中：

1.膠帶——用于覆蓋膜層，保護膜層不受酸液刻蝕；