[發明專利]一種快速檢測SiO2膜厚及膜層致密性的方法在審
| 申請號: | 201510188221.0 | 申請日: | 2015-04-20 |
| 公開(公告)號: | CN104865178A | 公開(公告)日: | 2015-08-26 |
| 發明(設計)人: | 胡超川;傅強;李加海;朱磊;金艷芳;王丹 | 申請(專利權)人: | 安徽立光電子材料股份有限公司 |
| 主分類號: | G01N17/00 | 分類號: | G01N17/00 |
| 代理公司: | 安徽信拓律師事務所 34117 | 代理人: | 鞠翔 |
| 地址: | 239200 安徽省滁州*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 快速 檢測 sio sub 致密 方法 | ||
1.一種快速檢測SiO2膜厚及膜層致密性的方法,其特征在于,測試方法步驟如下:
1)酸液準備
選取分析純,配制比例為HF:HNO3:DI水=2.4%:1.6%:96%,將配置好的酸液存放于塑料杯中;
2)臺階制作
將待檢測的樣片切割成小片,并在其表面平行粘貼兩條膠帶,制作成臺階,兩膠帶間距為1mm,膠帶沿同一方向壓實,要保持臺階邊緣平整;
3)酸液加熱
開啟水浴鍋加熱,將溫度設定為30℃,并將盛有酸液的塑料杯放入加熱;通過溫度計確認酸液的溫度達30±2℃,方可開始實驗;溫度確認時眼睛視線應垂直于溫度計刻度線;
4)SiO2膜層致密性評價
玻璃SiO2膜層在酸液中反應速率明顯慢于玻璃的反應速率,玻璃蝕刻速率為SiO2膜蝕刻速率為將制作好的臺階置于指定溫度的酸液中浸泡,檢測蝕刻速率時浸泡時間規定為50s、70s、90s、110s,推斷SiO2膜厚時實驗時間根據實驗情況決定,起始時間定為50s,90s內深度≤為合格。
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