[發明專利]封裝基板的形成方法在審
| 申請號： | 201510179892.0 | 申請日： | 2015-04-16 |
| 公開（公告）號： | CN105023838A | 公開（公告）日： | 2015-11-04 |
| 發明（設計）人： | 鈴木克彥 | 申請（專利權）人： | 株式會社迪思科 |
| 主分類號： | H01L21/304 | 分類號： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人： | 李輝;黃綸偉 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 封裝 形成 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種封裝基板的形成方法，其是形成封裝基板的形成方法，所述封裝基板具備：基板；搭載在該基板上的多個器件芯片；和在該基板上密封該器件芯片的密封樹脂層，所述封裝基板的形成方法的特征在于包括：
密封樹脂層形成步驟，在基板上形成對搭載于該基板上的多個器件芯片進行密封的密封樹脂層；
半硬化步驟，在實施了該密封樹脂層形成步驟后，使該密封樹脂層半硬化；
薄化步驟，在實施了該半硬化步驟后，利用磨削構件或刀塊切削構件使該密封樹脂層變薄為規定的厚度；和
完全硬化步驟，在實施了該薄化步驟后，使該密封樹脂層完全硬化。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
