[發(fā)明專利]封裝基板的形成方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510179892.0
• 申請日: 2015-04-16
• 公開（公告）號: CN105023838A
• 公開（公告）日: 2015-11-04
• 發(fā)明（設計）人: 鈴木克彥
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;黃綸偉

技術領域

本發(fā)明涉及用密封樹脂層覆蓋搭載于基板上的多個器件芯片的封裝基板的形成方法。

背景技術

在器件封裝體的制造工藝中，將對半導體晶片進行分割所得到的多個器件芯片搭載于基板上，利用密封樹脂對搭載于基板上的器件芯片進行密封而形成封裝基板。

為了保護器件芯片免受沖擊和濕氣等的損害，利用密封樹脂對器件芯片進行密封是重要的。通常，作為密封材料，通過使用在樹脂中混入由二氧化硅構成的填料而成的密封材料，使密封材料的熱膨脹率接近基板的熱膨脹率，由此防止由于熱膨脹率的差而產生的加熱時的封裝的破損。

對搭載于基板上的多個器件芯片進行樹脂密封后，對密封樹脂加熱使其硬化。然后，通過對基板進行分割，由此制造出在內部埋設有器件芯片的一個個器件封裝體。

近年來，伴隨著電子設備的薄型化，期望器件封裝體也變薄，進行了使封裝基板的密封樹脂層形成得較薄的嘗試。可是，如果要形成薄的密封樹脂層，則存在在密封樹脂層內部產生孔隙、或在密封后的封裝基板上產生翹曲這樣的問題。因此，可以考慮在超出需要地形成較厚的密封樹脂層后，利用磨削裝置或刀塊切削裝置使密封樹脂層變薄。

專利文獻1：日本特開2010-043663號公報

可是，在使密封樹脂層變薄時，由于完全硬化后的密封樹脂層非常硬且在內部包含二氧化硅等填料，因此，存在磨削裝置的磨具或刀塊切削裝置的刀塊切削刃過度磨損這樣的問題。

發(fā)明內容

本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的，其目的在于提供一種能夠防止磨削磨具或刀塊切削刃過度磨損的封裝基板的形成方法。

根據(jù)本發(fā)明，提供一種封裝基板的形成方法，其是形成封裝基板的形成方法，所述封裝基板具備：基板；搭載在該基板上的多個器件芯片；和在該基板上密封該器件芯片的密封樹脂層，所述封裝基板的形成方法的特征在于包括：密封樹脂層形成步驟，在該基板上形成對搭載于基板上的多個器件芯片進行密封的密封樹脂層；半硬化步驟，在實施了該密封樹脂層形成步驟后，使該密封樹脂層半硬化；薄化步驟，在實施了該半硬化步驟后，利用磨削構件或刀塊切削構件使該密封樹脂層變薄為規(guī)定的厚度；和完全硬化步驟，在實施了該薄化步驟后，使該密封樹脂層完全硬化。

根據(jù)本發(fā)明，在密封樹脂半硬化的狀態(tài)下利用磨削構件或刀塊切削構件使密封樹脂變薄，因此，能夠防止磨削磨具或刀塊切削刃過度磨損。此外，由于在半硬化的狀態(tài)下能夠抑制翹曲的產生，因此，還能夠防止在封裝基板產生翹曲而導致無法利用保持構件抽吸保持這樣的擔憂。

附圖說明

圖1是利用較厚的密封樹脂層進行了密封的狀態(tài)的封裝基板的縱剖視圖。

圖2是示出磨削步驟(薄化步驟)的局部剖面?zhèn)纫晥D。

圖3是刀塊切削裝置的立體圖。

圖4是示出基于刀塊切削裝置的薄化步驟的局部剖面?zhèn)纫晥D。

圖5的(A)是薄化步驟后的封裝基板的縱剖視圖，圖5的(B)是器件芯片被倒裝焊接(flip?chip?bounding)的情況下的薄化步驟后的封裝基板的縱剖視圖。

圖6是完全硬化步驟后的封裝基板的縱剖視圖。

標號說明

11：封裝基板；

12：磨削單元(磨削構件)；

13：基板；

15：器件芯片；

17：密封樹脂層；

20：磨輪；

24：磨削磨具；

40：刀塊切削單元(刀塊切削構件)；

60：刀塊工具；

62：切刃(刀塊切削刃)。

具體實施方式

以下，參照附圖詳細說明本發(fā)明的實施方式。參照圖1，示出了形成有較厚的密封樹脂層的封裝基板的縱剖視圖。封裝基板11通過將多個器件芯片15搭載于基板13上并利用密封樹脂層17對器件芯片15進行密封而構成(密封樹脂層形成步驟)。

作為用于密封樹脂層17的密封樹脂，為了使密封樹脂層17的熱膨脹率接近基板13的熱膨脹率，優(yōu)選使用混入有由二氧化硅構成的填料的環(huán)氧樹脂等。

在本發(fā)明的封裝基板的形成方法中，在實施密封樹脂層形成步驟后，實施使密封樹脂層半硬化的半硬化步驟。在半硬化步驟中，例如以大約100℃對密封樹脂層17加熱規(guī)定的時間，使密封樹脂層17半硬化。

實施半硬化步驟后，實施使密封樹脂層17變薄為規(guī)定的厚度的薄化步驟。參照圖2對使用了磨削構件(磨削單元)12的薄化步驟進行說明。圖2是示出利用磨削構件進行的薄化步驟的局部剖面?zhèn)纫晥D。