[發明專利]基板處理裝置有效
| 申請號: | 201510167195.3 | 申請日: | 2015-04-09 |
| 公開(公告)號: | CN104972386B | 公開(公告)日: | 2019-05-31 |
| 發明(設計)人: | 杉山光德;井上正文 | 申請(專利權)人: | 株式會社荏原制作所 |
| 主分類號: | B24B37/04 | 分類號: | B24B37/04;B24B37/34;B24B37/005;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海市華誠律師事務所 31210 | 代理人: | 梅高強;劉煜 |
| 地址: | 日本國東京都*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 | ||
本發明提供一種削減從被投入至CMP裝置起直到清洗處理結束為止的期間的基板的待機狀態的基板處理裝置。CMP裝置具備晶片的研磨單元(3)、晶片的清洗單元(4)、將基板向研磨單元(3)交接并且從清洗單元(4)接收基板的裝載/卸載單元(2)、晶片的搬送單元、及控制將晶片向CMP裝置投入的投入時序的控制部(5)。控制部(5)以從晶片被投入至CMP裝置起直到清洗處理結束為止都不會產生待機狀態的方式,制作按照投入至CMP裝置的多個晶片的每一個晶片,將研磨部、清洗部、及搬送部中的處理結束時刻或處理結束預定時刻建立了對應關系的時刻表,且根據時刻表來控制多個晶片對CMP裝置的投入時序。
技術領域
本發明涉及基板處理裝置。
背景技術
近年來,使用基板處理裝置,以對半導體晶片等基板進行各種處理。作為基板處理裝置的一例,列舉有用于進行基板研磨處理的CMP(Chemical Mechanical Polishing,化學機械研磨)裝置。
CMP裝置具備用于進行基板研磨處理的研磨單元、用于進行基板的清洗處理及干燥處理的清洗單元、將基板向研磨單元交接并且接收由清洗單元而被清洗處理及干燥處理后的基板的裝載/卸載單元等。此外,CMP裝置具備在研磨單元、清洗單元、及裝載/卸載單元內進行基板搬送的搬送單元。CMP裝置一邊由搬送單元搬送基板,一邊依序進行研磨、清洗、及干燥的各種處理。
但是,若在CMP裝置中將多個基板連續搬送時,通過優先執行的基板的處理等待、或與以不同的路徑被搬送的基板共有的處理部的空檔等待等,會產生基板的待機狀態。例如,若在從研磨處理開始起直到清洗處理結束為止的期間產生基板的待機狀態時,由于經時變化(腐蝕等)、或外在干擾(粉塵等),基板狀態有可能成為不安定。特別是,若在基板的研磨對象物中含有銅(Cu)的情況下,當研磨結束后直到清洗開始為止的待機時間長時,腐蝕的影響會變大。
這一點,在現有技術中提出了通過預測清洗單元中的清洗開始時刻,來削減從研磨單元至清洗單元的基板等待時間的方案。
專利文獻1:日本專利第5023146號公報
(發明所要解決的問題)
但是,現有技術并未考慮在清洗單元中的清洗處理及搬送路徑的自由度高的基板處理裝置中,削減從被投入至CMP裝置起直到清洗處理結束為止的期間的基板的待機狀態的情形。
即,在現有技術中,是以如下為前提的:基板處理裝置通過清洗單元的多個清洗部依次清洗由研磨單元進行了研磨處理的基板,之后使其干燥而送回至裝載/卸載單元。因此,在現有技術中,例如在由于清洗單元具有可并列進行清洗處理的多個清洗部而使清洗單元內的基板的搬送路徑會復雜化的情況下,有可能在清洗單元內產生基板的待機狀態。當在清洗單元內暫時產生基板待機狀態時,在預定通過該基板所位于的場所的后續的基板也有可能產生待機狀態。
發明內容
因此,本發明的課題在清洗單元中的清洗處理及搬送路徑的自由度高的基板處理裝置中,削減從被投入至CMP裝置起直到清洗處理結束為止的期間的基板的待機狀態。
(用于解決問題的手段)
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