[發(fā)明專利]一種促進杏黃兜蘭無菌苗生長及增殖的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510147487.0 | 申請日: | 2015-03-31 |
| 公開(公告)號: | CN104719166A | 公開(公告)日: | 2015-06-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 嚴寧;牟宗敏;胡虹 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院昆明植物研究所 |
| 主分類號: | A01H4/00 | 分類號: | A01H4/00 |
| 代理公司: | 昆明協(xié)立知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 53108 | 代理人: | 馬曉青 |
| 地址: | 650201 *** | 國省代碼: | 云南;53 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 促進 杏黃 兜蘭 菌苗 生長 增殖 方法 | ||
1.一種促進杏黃兜蘭無菌苗生長及增殖的方法,其特征在于在基本培養(yǎng)基中加入不同濃度或不同比例的KNO3或NH4NO3,進行影響無菌苗生長的試驗,通過調(diào)節(jié)不同階段培養(yǎng)基中的氮源類型、濃度和比例,促進杏黃兜蘭無菌苗增殖、生長及生根。
2.一種促進杏黃兜蘭無菌苗生長及增殖的方法,其特征在于所述的調(diào)節(jié)氮源類型和濃度是指用KNO3∶NH4NO3比例為1∶1,總濃度為60mML-1,也就是用KNO3和NH4NO3濃度各為30mML-1的1/2MS培養(yǎng)基促進杏黃兜蘭無菌苗增殖;用KNO3為氮源,濃度為40mML-1的1/2MS培養(yǎng)基促進生長較多葉片和較大葉面積;用濃度為0或10mML-1的KNO3為氮源的1/2MS培養(yǎng)基促進生根。
3.一種促進杏黃兜蘭無菌苗生長及增殖的方法,其特征在于所述的基本培養(yǎng)基為1/2MS無氮培養(yǎng)基,包括下述部分:CaCl2·2H2O?220mg/L,MgSO4·7H2O?185mg/L,KH2PO4?85mg/L,KI?0.83mg/L,H3BO3?6.20mg/L,MnSO4·4H2O?22.30mg/L,ZnSO4·7H2O?8.60mg/L,Na2MoO4·4H2O?0.25mg/L,CuSO4·5H2O?0.025mg/L,CoCl2·6H2O?0.025mg/L,FeSO4·7H2O?27.80mg/L,Na-EDTA·2H2O?37.30mg/L,肌醇100mg/L,煙酸0.5mg/L,鹽酸吡哆醇0.5mg/L,鹽酸硫胺素0.5mg/L,甘氨酸2.0mg/L;添加0.3g?L–1活性碳,20g?L–1蔗糖,8g?L–1瓊脂,0.25mg?L–16-BA。100ml培養(yǎng)基/瓶;光照培養(yǎng)室條件采用日光燈為光源,光照強度為40μmol?m–2s–1,光周期為12小時,日溫和夜溫分別為25和18℃。
4.一種促進杏黃兜蘭無菌苗生長及增殖的方法,其特征在于所述的在基本培養(yǎng)基中加入不同濃度或不同比例的KNO3或NH4NO3,進行影響無菌苗生長的試驗包括如下步驟:
(1)以KNO3為氮源,設(shè)置4個氮濃度:10、20、40、60mM?L–1的培養(yǎng)基,以1M?L–1的氯化鉀調(diào)節(jié)培養(yǎng)基中鉀離子濃度;
(2)以NH4Cl為氮源,設(shè)置4個氮濃度:10、20、40、60mM?L–1的培養(yǎng)基,以1M?L–1的氯化鉀調(diào)節(jié)培養(yǎng)基中鉀離子濃度;
(3)以KNO3+NH4NO3為氮源,二者比例為1:1,與MS培養(yǎng)基中比例相同,設(shè)置4個氮濃度:10、20、40、60mM?L–1的培養(yǎng)基;
以不含氮0mM?L–1的基本培養(yǎng)基為對照,將幼苗分別轉(zhuǎn)至以上三個步驟中所述的12種培養(yǎng)基中,置于光照培養(yǎng)室中培養(yǎng),光照培養(yǎng)室條件采用日光燈為光源,光照強度為40μmol?m–2s–1,光周期為12小時,日溫和夜溫分別為25和18℃。
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