[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 201510098219.4
• 申請日: 2015-03-05
• 公開（公告）號: CN105280719A
• 公開（公告）日: 2016-01-27
• 發明（設計）人: 壱岐村岳人
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 林金朝;王英

相關申請的交叉引用

本申請基于2014年7月17日提交的日本專利申請No.2014-147048的優先權并要求其優先權的權益，通過引用的方式將該日本專利申請的全部內容并入本文中。

技術領域

本文中所描述的實施例總體上涉及半導體器件。

背景技術

在半導體器件的將晶體管和二極管安裝在同一襯底上作為集成電路的區域中，由于寄生晶體管的操作，可能在形成二極管的區域中出現流至襯底的泄漏電流。

發明內容

實施例提供了可以抑制流至襯底的泄漏電流的半導體器件。

實施例提供了：

半導體器件，其包括：

第一導電類型的襯底層；

襯底層中的第二導電類型的第一半導體層；

第一導電類型的第二半導體層，其在第一半導體層中并且由第一半導體層與襯底層分開；

第二半導體層中的第二導電類型的第三半導體層；

第三半導體層中的第一導電類型的第四半導體層；

第一導電類型的第五半導體層，其在第三半導體層中并且與第四半導體層分開；

第二導電類型的第六半導體層，其在第三半導體層中并且與第四半導體層分開，第六半導體層具有比第三半導體層的第二導電類型雜質濃度高的第二導電類型雜質濃度；

連接到第四半導體層的第一電極；以及

連接到第五半導體層和第六半導體層的第二電極。

此外，實施例提供了：

半導體器件，其包括：

第一導電類型的襯底層；以及

設置在襯底上的二極管，二極管包括：

襯底層中的第二導電類型的第一半導體層；

第一導電類型的第二半導體層，其在第一半導體層中并且與襯底層分開；

第二半導體層中的第二導電類型的第三半導體層；

第三半導體層中的第一導電類型的第四半導體層；以及

連接到第四半導體層的表面的第一電極。

此外，實施例提供了：

半導體器件，其包括：

第一導電類型的襯底層；

襯底層的上表面上的絕緣層；

襯底與絕緣層之間的第二導電類型的第一半導體區；

第一半導體區中的第一導電類型的第二半導體區；

第二導電類型的第三半導體區，其在第二半導體區中并且與第一半導體區分開；

第三半導體區中的第一導電類型的第四半導體區；

第三半導體區中的第一導電類型的第五半導體區；

第三半導體區中的第二導電類型的第六半導體區；

第一電極，其在襯底層的上表面處與第二半導體區電接觸；以及

第二電極，其在襯底層的上表面處與第三半導體區和第四半導體區電接觸。

附圖說明

圖1是示出根據第一實施例的半導體器件的示意性截面圖。

圖2A和圖2B是示出根據另一個實施例的半導體器件的示意性截面圖。

圖3A和圖3B是示出根據另一個實施例的半導體器件的示意性截面圖。

圖4是示出根據另一個實施例的半導體器件的示意性截面圖。

具體實施方式

示例性實施例提供了可以抑制流至襯底的泄漏電流的半導體器件。

通常，根據一個實施例，半導體器件被設置為包括第一導電類型襯底和設置在襯底上的二極管。二極管包括設置在襯底中的第二導電類型第一半導體層、設置在第一半導體層中并且與襯底分開的第一導電類型第二半導體層、設置在第二半導體層中的第二導電類型第三半導體層、設置在第三半導體層中的第一導電類型第四半導體層、與第四半導體層分開并且設置在第三半導體層中的第一導電類型第五半導體層、與第四半導體層分開并且設置在第三半導體層中的第二導電類型第六半導體層，該第二導電類型第六半導體層具有比第三半導體層的第二導電類型雜質濃度高的第二導電類型雜質濃度。

在下文中，將參考附圖來對示例性實施例進行描述。在各個附圖中，利用相同的附圖標記來標識相同的元件。下面將根據第一導電類型為p型并且第二導電類型為n型的假設來進行描述，但是也可以通過將第一導電類型設置為n型并且將第二導電類型設置為p型來執行實施例。

圖1是示出根據第一實施例的半導體器件的示意性截面圖。