[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 201510098219.4
• 申請日: 2015-03-05
• 公開（公告）號: CN105280719A
• 公開（公告）日: 2016-01-27
• 發明（設計）人: 壱岐村岳人
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 林金朝;王英

1.一種半導體器件，包括：

第一導電類型的襯底層；

所述襯底層中的第二導電類型的第一半導體層；

所述第一導電類型的第二半導體層，其位于所述第一半導體層中并且由所述第一半導體層與所述襯底層分開；

所述第二半導體層中的所述第二導電類型的第三半導體層；

所述第三半導體層中的所述第一導電類型的第四半導體層；

所述第一導電類型的第五半導體層，其位于所述第三半導體層中并且與所述第四半導體層分開；

所述第二導電類型的第六半導體層，其位于所述第三半導體層中并且與所述第四半導體層分開，所述第六半導體層具有比所述第三半導體層的第二導電類型雜質濃度高的第二導電類型雜質濃度；

連接到所述第四半導體層的第一電極；以及

連接到所述第五半導體層和所述第六半導體層的第二電極。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一電極為陽極電極，并且所述第二電極為陰極電極。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一電極為陰極電極，并且所述第二電極為陽極電極。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第五半導體層設置在所述第四半導體層與所述第六半導體層之間。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，其中，所述第三半導體層的位于所述第四半導體層與所述第五半導體層之間的區域包括與所述第四半導體層鄰接的第一部分以及與所述第五半導體層鄰接的第二部分，所述第二部分具有比所述第一部分的第二導電類型雜質濃度高的第二導電類型雜質濃度。

6.根據權利要求4所述的半導體器件，還包括：

控制電極和絕緣膜，其中，所述絕緣膜位于所述第三半導體層與所述控制電極之間。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中，所述控制電極設置在所述第一電極與所述第二電極之間。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

設置在所述第三半導體層的頂表面與所述第四半導體層的頂表面上的絕緣層，其中，

所述第三半導體層具有在比所述第四半導體層的底部距離所述絕緣層更遠的位置處出現峰值的第二導電類型摻雜劑濃度水平。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：

設置在所述襯底層上的晶體管。

10.一種半導體器件，包括：

第一導電類型的襯底層；以及

設置在所述襯底上的二極管，所述二極管包括：

所述襯底層中的第二導電類型的第一半導體層；

所述第一導電類型的第二半導體層，其位于所述第一半導體層中并且與所述襯底層分開；

所述第二半導體層中的所述第二導電類型的第三半導體層；

所述第三半導體層中的所述第一導電類型的第四半導體層；以及

連接到所述第四半導體層的表面的第一電極。

11.根據權利要求10所述的半導體器件，其中，所述二極管還包括：

所述第一導電類型的第五半導體層，其位于所述第三半導體層中并且與所述第四半導體層分開；

所述第二導電類型的第六半導體層，其位于所述第三半導體層中并且與所述第四半導體層分開；以及

連接到所述第五半導體層的表面并且連接到所述第六半導體層的表面的第二電極。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，其中，所述第五半導體層位于所述第四半導體層與所述第六半導體層之間。

13.根據權利要求11所述的半導體器件，其中，所述第三半導體層中的位于所述第四半導體層與所述第五半導體層之間的區域包括與所述第四半導體層接觸的第一部分以及與所述第五半導體層接觸的第二部分，所述第二部分具有比所述第一部分的第二導電類型雜質濃度高的第二導電類型雜質濃度。

14.根據權利要求11所述的半導體器件，其中，所述二極管還包括：

控制電極；以及

位于所述第三半導體層與所述控制電極之間的絕緣膜。

15.根據權利要求14所述的半導體器件，其中，所述控制電極設置在所述第一電極與所述第二電極之間。