[發(fā)明專利]OLED封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法、發(fā)光器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510098156.2
• 申請日: 2012-08-30
• 公開（公告）號: CN104659270B
• 公開（公告）日: 2017-08-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 朱儒暉;于軍勝
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11112
• 代理人: 彭瑞欣,陳源

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光顯示器制造領(lǐng)域，特別涉及一種OLED封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，以及發(fā)光器件。

背景技術(shù)

有機電致發(fā)光器件(Organic Light-Emitting Diode，以下簡稱：OLED)因具備主動發(fā)光、溫度特性好、功耗小、響應快、可彎曲、超輕薄和成本低等優(yōu)點，而被稱之為第三代夢幻顯示技術(shù)。目前，在全球廠商持續(xù)資金投入與技術(shù)研發(fā)的推動下，OLED平板顯示技術(shù)正趨向于量產(chǎn)技術(shù)日益成熟與市場需求高速增長階段。

OLED按照出光方向可以分為三種，即：底發(fā)射OLED、頂發(fā)射OLED與雙面發(fā)射OLED。底發(fā)射OLED是指光從基板射出的OLED，雙面發(fā)射OLED是指光同時從基板和器件頂部射出的OLED，頂發(fā)射OLED是指光從器件頂部射出的OLED。其中，頂發(fā)射OLED由于不受基板是否透光的影響，可有效提高顯示面板的開口率，拓展了基板上TFT電路的設(shè)計，豐富了電極材料的選擇，有利于器件與TFT電路的集成。由于OLED對水汽和氧氣非常敏感,滲入OLED內(nèi)的水汽和氧氣會腐蝕有機功能層及電極材料,嚴重影響器件壽命，因此為了延長器件壽命以及提高器件穩(wěn)定性，需要對OLED進行封裝處理以形成OLED封裝結(jié)構(gòu)，具體地，可在OLED上形成一阻隔層，該阻隔層可包括無機絕緣層和有機絕緣層，從而達到避免水汽和氧氣滲入OLED的目的。

頂發(fā)射OLED可以提高器件效率、窄化光譜和提高色純度，但往往具有微腔效應。微腔效應會使OLED的電致發(fā)光光譜隨觀測角度變化，導致OLED出現(xiàn)觀測角度依賴性問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種OLED封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法、發(fā)光器件，用以降低OLED因微腔效應引起的觀測角度依賴性。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種OLED封裝結(jié)構(gòu)，包括：襯底基板、OLED、阻隔層和光學調(diào)制層，所述OLED形成于所述襯底基板上，所述阻隔層和所述光學調(diào)制層交替形成于所述OLED之上。

可選地，所述阻隔層和所述光學調(diào)制層按照交替周期數(shù)交替形成于所述OLED之上，且在每個交替周期內(nèi)所述光學調(diào)制層位于所述阻隔層之上。

可選地，所述交替周期數(shù)為大于或等于1且小于或等于10的正整數(shù)。

可選地，所述光學調(diào)制層包括：網(wǎng)格層和位于所述網(wǎng)格層之上的填充層。

可選地，所述網(wǎng)格層由依次斜向生長的金屬/介質(zhì)/金屬三層納米柱薄膜構(gòu)成，所述金屬包括：銀、鋁或者銀鋁混合物，所述介質(zhì)包括：二氧化硅或者氟化鎂。

可選地，所述填充層由斜向上生長的氧化物納米柱薄膜構(gòu)成，所述填充層的材料包括：二氧化鈦、三氧化二鋁、氧化鋅、氧化鎂或者氧化鋯。

可選地，所述OLED包括：頂發(fā)射OLED或者雙面發(fā)射OLED。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種OLED封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：

在襯底基板上形成OLED；

在所述OLED上交替形成阻隔層和光學調(diào)制層。

可選地，所述在所述OLED上交替形成阻隔層和光學調(diào)制層包括：

在所述OLED上按照交替周期數(shù)交替形成所述阻隔層和所述光學調(diào)制層，且在每個交替周期內(nèi)所述光學調(diào)制層位于所述阻隔層之上。

可選地，所述在所述OLED上按照交替周期數(shù)交替形成阻隔層和光學調(diào)制層包括：

形成所述阻隔層；

在所述阻隔層上形成所述光學調(diào)制層；

重復執(zhí)行n-1次所述形成所述阻隔層的步驟和所述在所述阻隔層上形成所述光學調(diào)制層的步驟，其中，n為所述交替周期數(shù)，n為大于1的正整數(shù)。

可選地，所述光學調(diào)制層包括：網(wǎng)格層和位于所述網(wǎng)格層之上的填充層；所述在所述阻隔層上形成所述光學調(diào)制層包括：

在所述阻隔層上形成網(wǎng)格層；

在所述網(wǎng)格層上形成所述填充層。

可選地，所述網(wǎng)格層由依次斜向生長的金屬/介質(zhì)/金屬三層納米柱薄膜構(gòu)成，所述在所述阻隔層上形成網(wǎng)格層包括：

以設(shè)定入射角度，通過電子束蒸發(fā)的方式在所述隔離層上形成依次斜向生長的金屬/介質(zhì)/金屬三層納米柱薄膜。

可選地，所述設(shè)定入射角度大于85°且小于90°。

可選地，所述填充層由斜向上生長的氧化物納米柱薄膜構(gòu)成，所述在所述網(wǎng)格層上形成所述填充層包括：

以在設(shè)定角度范圍內(nèi)角度階梯增大的入射角度，通過電子束蒸發(fā)的方式在所述網(wǎng)格層上形成斜向上生長的氧化物納米柱薄膜。

可選地，所述設(shè)定角度范圍為位于30°至90°之間的角度范圍。