[發明專利]OLED封裝結構及其制造方法、發光器件有效
| 申請號： | 201510098156.2 | 申請日： | 2012-08-30 |
| 公開（公告）號： | CN104659270B | 公開（公告）日： | 2017-08-08 |
| 發明（設計）人： | 朱儒暉;于軍勝 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/52 | 分類號： | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112 | 代理人： | 彭瑞欣,陳源 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | oled 封裝 結構 及其 制造 方法 發光 器件 | ||
1.一種OLED封裝結構，其特征在于，包括：襯底基板、OLED、阻隔層和光學調制層，所述OLED形成于所述襯底基板上，所述阻隔層和所述光學調制層交替形成于所述OLED之上，所述光學調制層包括：網格層和位于所述網格層之上的填充層；
所述填充層由斜向上生長的氧化物納米柱薄膜構成，所述填充層的材料包括：二氧化鈦、三氧化二鋁、氧化鋅、氧化鎂或者氧化鋯；
所述OLED包括：頂發射OLED或者雙面發射OLED。
2.一種OLED封裝結構的制造方法，其特征在于，包括：
在襯底基板上形成OLED；
在所述OLED上交替形成阻隔層和光學調制層；
所述在所述OLED上交替形成阻隔層和光學調制層包括：
在所述OLED上按照交替周期數交替形成所述阻隔層和所述光學調制層，且在每個交替周期內所述光學調制層位于所述阻隔層之上；
所述在所述OLED上按照交替周期數交替形成阻隔層和光學調制層包括：
形成所述阻隔層；
在所述阻隔層上形成所述光學調制層；
重復執行n-1次所述形成所述阻隔層的步驟和所述在所述阻隔層上形成所述光學調制層的步驟，其中，n為所述交替周期數，n為大于1的正整數；
所述光學調制層包括：網格層和位于所述網格層之上的填充層，所述在所述阻隔層上形成所述光學調制層包括：
在所述阻隔層上形成網格層；
在所述網格層上形成所述填充層；
所述填充層由斜向上生長的氧化物納米柱薄膜構成，所述填充層的材料包括：二氧化鈦、三氧化二鋁、氧化鋅、氧化鎂或者氧化鋯。
3.一種發光器件，其特征在于，包括權利要求1所述的OLED封裝結構。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
