[發明專利]一種冷等離子體處理的大豆育種方法

有效

• 申請號: 201510098014.6
• 申請日: 2015-03-05
• 公開（公告）號: CN104620719B
• 公開（公告）日: 2017-01-25
• 發明（設計）人: 邵長勇;梁鳳臣;李艷;張麗麗;趙立靜;張曉明;楊鵬;張燁;梁超;邵龍;鞠建;邵娜
• 申請（專利權）人: 山東省種子有限責任公司
• 主分類號: A01C1/00
• 分類號: A01C1/00
• 代理公司: 濟南圣達知識產權代理有限公司37221
• 代理人: 崔苗苗

1.一種冷等離子體處理的大豆育種方法，其特征是，包括步驟如下：對大豆種子進行冷等離子體處理，結合表觀接觸角觀測，適時播種，選育具有目標性狀的大豆新品種；所述的冷等離子體處理的條件為：以氦氣為工作介質，在真空封閉環境中，1～500W的處理功率下對大豆原材料進行15～20秒的非電離幅射處理；所述的表觀接觸角是指氣、液、固三相交界處的氣-液界面和固-液界面之間的夾角，表觀接觸角度為43～96°時播種。

2.根據權利要求1所述的一種冷等離子體處理的大豆育種方法，其特征是，所述的處理功率為10～300W，所述非電離幅射處理的時間為15～18s，所述的表觀接觸角為43°-90°。

3.根據權利要求2所述的一種冷等離子體處理的大豆育種方法，其特征是，所述的處理功率為80～240W，所述非電離幅射處理的時間為15～18s，所述表觀接觸角為43°-73°。

4.根據權利要求3所述的一種冷等離子體處理的大豆育種方法，其特征是，所述的處理功率為100～180W，所述非電離幅射處理的時間為18s，所述表觀接觸角為43°-59°。

5.根據權利要求4所述的一種冷等離子體處理的大豆育種方法，其特征是，所述的處理功率為160W，所述非電離幅射處理的時間為18s，所述表觀接觸角為44±1.5°。

6.根據權利要求1所述的一種冷等離子體處理的大豆育種方法，其特征是，所述大豆的品種為如下任一品種：荷豆21、科豆1號、濰豆7號、臨豆9號、合交02-69、中黃13號、荷豆19號、齊黃34、華夏9號、交大133號。