[發明專利]激光氣相沉積方式修補白缺陷的方法有效
| 申請號: | 201510097968.5 | 申請日: | 2015-03-04 |
| 公開(公告)號: | CN104746041B | 公開(公告)日: | 2018-02-13 |
| 發明(設計)人: | 張俊;李躍松 | 申請(專利權)人: | 深圳清溢光電股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/44 | 分類號: | C23C16/44;C23C14/28 |
| 代理公司: | 深圳中一專利商標事務所44237 | 代理人: | 張全文 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市高*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 激光 沉積 方式 修補 缺陷 方法 | ||
技術領域
本發明屬于光伏產業的白缺陷修補技術領域,具體涉及一種激光氣相沉積方式修補白缺陷的方法。
背景技術
激光氣相沉積技術廣泛用于鉻版等光伏產業的白缺陷修補,目前技術為step單光斑激光氣相沉積技術,對狹縫slit范圍內激光能量的均勻性有較高的要求,因此不適用于較大尺寸的白缺陷修補,且其修補黑度和粘附力略有不足,難以滿足高標準要求產品的制作要求。
發明內容
本發明實施例的目的在于克服現有技術的上述不足,提供一種激光氣相沉積方式修補白缺陷的方法,可以修補大尺寸的白缺陷。
為了實現上述發明目的,本發明實施例的技術方案如下:
一種激光氣相沉積方式修補白缺陷的方法,包括:
在靠近所述白缺陷的一角設置修補起點,在靠近所述白缺陷的所述修補起點的對角設置修補終點,使得在所述白缺陷所在平面上,以所述修補起點沿橫向延伸的直線、所述修補起點沿縱向延伸的直線、所述修補終點沿橫向延伸的直線、所述修補終點沿縱向延伸的直線圍成的區域為掃描修補區域,所述白缺陷完全位于所述掃描修補區域內;
采用激光氣相沉積方式在所述掃描修補區域內從所述修補起點掃描修補至所述修補終點,使所述白缺陷表面完全覆蓋修補薄膜完成所述修補。
本發明實施例的激光氣相沉積方式修補白缺陷的方法,通過掃描修補的方式,相對于現有技術中單光斑修復方式(點修復),可以修補大尺寸的白缺陷。
附圖說明
圖1為本發明實施例的激光氣相沉積方式修補白缺陷的方法的流程圖;
圖2為本發明實施例1的修補前的白缺陷的示意圖;
圖3為本發明實施例1的采用激光氣相沉積方式修補后的白缺陷的示意圖。
具體實施方式
為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白,以下結合附圖和實施例,對本發明進行進一步詳細說明。應當理解,此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明,并不用于限定本發明。
本發明實施例提供了一種激光氣相沉積方式修補白缺陷的方法。該修復方法通過激光氣相沉積技術使掃描修補氣體沉積到白缺陷處完成修補。該方法適用于在以玻璃作為基板的表面上鍍有金屬層的白缺陷的修補。激光氣相沉積方式修補白缺陷的方法依靠在載板平臺上分別安裝用于氣相沉積的蒸汽供給排放系統和激光光路系統,在激光光路系統LCVD頭處由激光照射LCVD頭吹向待修復板的蒸汽,將該蒸汽粘附在待修復板上的白缺陷處。
如圖1所示,為本發明實施例的激光氣相沉積方式修補白缺陷的方法的流程圖。該方法具體包括如下的步驟:
步驟S01:在靠近白缺陷的一角設置修補起點,在靠近白缺陷的修補起點的對角設置修補終點,使得在白缺陷所在平面上,以修補起點沿橫向延伸的直線、修補起點沿縱向延伸的直線、修補終點沿橫向延伸的直線、修補終點沿縱向延伸的直線圍成的區域為掃描修補區域,白缺陷完全位于該掃描修補區域內。
其中,修補起點沿縱向延伸的直線距與其相鄰的白缺陷的一側的距離為10~20μm,修補起點沿橫向延伸的直線距與其相鄰的白缺陷的一側的距離為5~10μm;修補終點沿縱向延伸的直線距與其相鄰的白缺陷的一側的距離為10~20μm,修補終點沿橫向延伸的直線距與其相鄰的白缺陷的一側的距離為5~10μm。上述的“距與其相鄰的白缺陷的一側的距離”在此處具體指的是“該側與直線最接近的一點與直線之間的距離”。
上述修補起點、修補終點和掃描修補區域的設置,使得修補薄膜可以完全覆蓋白缺陷,不會使修補產生遺漏的白缺陷;同時,由于覆蓋修補薄膜的非白缺陷區域較小,不會影響其正常的功能,也不會造成材料的浪費。
步驟S02:采用激光氣相沉積方式在掃描修補區域內從修補起點掃描修補至修補終點,使白缺陷表面完全覆蓋修補薄膜完成修補。
從掃描開始就同時進行抽廢氣,該抽廢氣的過程包括抽走并加熱廢氣使廢氣便于排放。抽走廢氣的流量為16~20L/min。具體的加熱溫度可以根據廢氣的成分具體確定。例如,當廢氣為鉻蒸汽時,加熱廢氣的溫度為300℃。由于在激光氣相沉積的過程中,不可避免有多余的修補氣體沉積到白缺陷表面造成修補后的白缺陷平整度低,因此,需要在掃描修補的同時抽走多余的修補氣體。
步驟S02的具體過程包括:
步驟S021A:從修補起點沿橫向掃描修補至掃描修補區域的另一側,在經過的區域的表面覆蓋一層薄膜。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳清溢光電股份有限公司,未經深圳清溢光電股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201510097968.5/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:原子層沉積裝置
- 下一篇:反應腔和MOCVD設備
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





