[發(fā)明專利]激光氣相沉積方式修補(bǔ)白缺陷的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510097968.5
• 申請日: 2015-03-04
• 公開（公告）號: CN104746041B
• 公開（公告）日: 2018-02-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張俊;李躍松
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳清溢光電股份有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C14/28
• 代理公司: 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所44237
• 代理人: 張全文

1.一種激光氣相沉積方式修補(bǔ)白缺陷的方法，其特征在于，包括：

在靠近所述白缺陷的一角設(shè)置修補(bǔ)起點，在靠近所述白缺陷的所述修補(bǔ)起點的對角設(shè)置修補(bǔ)終點，使得在所述白缺陷所在平面上，以所述修補(bǔ)起點沿橫向延伸的直線、所述修補(bǔ)起點沿縱向延伸的直線、所述修補(bǔ)終點沿橫向延伸的直線、所述修補(bǔ)終點沿縱向延伸的直線圍成的區(qū)域為掃描修補(bǔ)區(qū)域，所述白缺陷完全位于所述掃描修補(bǔ)區(qū)域內(nèi)；

采用激光氣相沉積方式在所述掃描修補(bǔ)區(qū)域內(nèi)從所述修補(bǔ)起點掃描修補(bǔ)至所述修補(bǔ)終點，使所述白缺陷表面完全覆蓋修補(bǔ)薄膜完成所述修補(bǔ)；

所述掃描修補(bǔ)的速度為7～11μm/s，所述掃描修補(bǔ)的過程中激光功率為1.8～2.2mw；所述掃描修補(bǔ)采用的載流氣體的壓強(qiáng)為0.15～0.20mPa，流量比為40-60％。

2.如權(quán)利要求1所述的激光氣相沉積方式修補(bǔ)白缺陷的方法，其特征在于，所述采用激光氣相沉積方式在所述掃描修補(bǔ)區(qū)域內(nèi)從所述修補(bǔ)起點掃描修補(bǔ)至所述修補(bǔ)終點的過程包括：

從所述修補(bǔ)起點沿橫向掃描修補(bǔ)至所述掃描修補(bǔ)區(qū)域的另一側(cè)，在經(jīng)過的區(qū)域的表面覆蓋一層所述修補(bǔ)薄膜；

從所述修補(bǔ)起點沿縱向移動一行，沿橫向從所述掃描修補(bǔ)區(qū)域的一側(cè)掃描修補(bǔ)至所述掃描修補(bǔ)區(qū)域的另一側(cè)，在經(jīng)過的區(qū)域的表面覆蓋一層所述修補(bǔ)薄膜，重復(fù)該步驟直到掃描修補(bǔ)到所述修補(bǔ)終點。

3.如權(quán)利要求2所述的激光氣相沉積方式修補(bǔ)白缺陷的方法，其特征在于：相鄰兩行所述修補(bǔ)薄膜的沿縱向的重疊區(qū)域的尺寸為2～4μm。

4.如權(quán)利要求1所述的激光氣相沉積方式修補(bǔ)白缺陷的方法，其特征在于，所述采用激光氣相沉積方式在所述掃描修補(bǔ)區(qū)域內(nèi)從所述修補(bǔ)起點掃描修補(bǔ)至所述修補(bǔ)終點的過程包括：

從所述修補(bǔ)起點沿縱向掃描修補(bǔ)至所述掃描修補(bǔ)區(qū)域的另一側(cè)，在經(jīng)過的區(qū)域的表面覆蓋一層所述修補(bǔ)薄膜；

從所述修補(bǔ)起點沿橫向移動一列，沿縱向從所述掃描修補(bǔ)區(qū)域的一側(cè)掃描修補(bǔ)至所述掃描修補(bǔ)區(qū)域的另一側(cè)，在經(jīng)過的區(qū)域的表面覆蓋一層所述修補(bǔ)薄膜，重復(fù)該步驟直到掃描修補(bǔ)到所述修補(bǔ)終點。

5.如權(quán)利要求4所述的激光氣相沉積方式修補(bǔ)白缺陷的方法，其特征在于：相鄰兩列所述修補(bǔ)薄膜的沿橫向的重疊區(qū)域的尺寸為2～4μm。

6.如權(quán)利要求1所述的激光氣相沉積方式修補(bǔ)白缺陷的方法，其特征在于：所述修補(bǔ)起點沿縱向延伸的直線距與其相鄰的所述白缺陷的一側(cè)的距離為10～20μm，所述修補(bǔ)起點沿橫向延伸的直線距與其相鄰的所述白缺陷的一側(cè)的距離為5～10μm；所述修補(bǔ)終點沿縱向延伸的直線距與其相鄰的所述白缺陷的一側(cè)的距離為10～20μm，所述修補(bǔ)終點沿橫向延伸的直線距與其相鄰的所述白缺陷的一側(cè)的距離為5～10μm。

7.如權(quán)利要求1所述的激光氣相沉積方式修補(bǔ)白缺陷的方法，其特征在于：激光的照射區(qū)域為長18～24μm，寬6～9μm的區(qū)域。

8.如權(quán)利要求1～7任一項所述的激光氣相沉積方式修補(bǔ)白缺陷的方法，其特征在于：所述掃描修補(bǔ)的過程還伴隨有抽廢氣的過程，所述抽廢氣的過程包括抽走并加熱所述廢氣使所述廢氣排放，抽走所述廢氣的流量為16～20L/min。