[發明專利]發光二極管及其制作方法有效
| 申請號： | 201510097522.2 | 申請日： | 2015-03-05 |
| 公開（公告）號： | CN104638078B | 公開（公告）日： | 2017-05-10 |
| 發明（設計）人： | 蒙成;吳俊毅;陶青山;王篤祥 | 申請（專利權）人： | 天津三安光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/10 | 分類號： | H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光二極管 及其 制作方法 | ||
1.發光二極管，包括：
發光外延疊層，具有相對的第一表面和第二表面，包含n型半導體層、發光層和p型半導體層；
透光性介電層，位于所述發光外延疊層的第二表面上，并直接與所述發光外延疊層接觸，其內部具有導電通孔，所述透光性介電層中摻雜有受熱可產生氣體的發泡粒子；
透光性導電層，位于所述透光性介電層之遠離發光外延疊層的一側表面上；
金屬反射層，位于所述透光性導電層之遠離所述透光性介電層的一側表面上；
所述透光性介電層的折射率均小于所述發光外延疊層、透光性導電層的折射率，所述發光外延疊層、透光性介電和透光性導電層構成一增強反射系統。
2.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述發光外延疊層、透光性介電層、透光性導電層的折射率分別為r1、r2和r3，其關系為：r2<r3<r1。
3.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述發光外延疊層的第二表面的粗糙度小于第一表面的粗糙度。
4.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述發光外延疊層的第二表面為n型半導體層一側表面。
5.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述發泡粒子選自CaCO3、BaCO3、Ca（HCO3）2、Na2CO3、NaHCO3中的一種或其組合。
6.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述發泡粒子分布在透光性介電性中靠近發光外延疊層的一側。
7.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述透光性導電層具有粘附作用。
8.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述透光性導電層為采用濺射形成的ITO層。
9.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述透光性導電層的厚度為10~100埃。
10.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述透光性導電層以分子狀態呈現，呈顆粒狀分布在所述透光性介電層上。
11.根據權利要求1所述的發光二極管，其特征在于：所述發光外延疊層的第一表面具有一系列蜂窩構造的粗化圖案，所述蜂窩構造呈正六邊形分布。
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