[發明專利]半導體裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201510096483.4
• 申請日: 2015-03-04
• 公開（公告）號: CN104916707B
• 公開（公告）日: 2019-01-18
• 發明（設計）人: 水上誠;鈴木拓馬
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L29/868
• 分類號: H01L29/868;H01L21/329
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 徐殿軍

1.一種半導體裝置，其特征在于，

具備：

第1電極；

第2電極；

第1導電型的第1半導體層，設在上述第1電極與上述第2電極之間，具有在從上述第1電極朝向上述第2電極的第1方向上碳空位密度變低的區域；

第1導電型的第2半導體層，設在上述第1電極與上述第1半導體層之間，雜質元素濃度比上述第1半導體層高；以及

第2導電型的多個第3半導體層，設在上述第2電極與上述第1半導體層之間，

上述碳空位密度變低的區域為，從相鄰的上述第3半導體層所夾著的上述第1半導體層的表面起到比上述第3半導體層深的位置。

2.如權利要求1記載的半導體裝置，

相鄰的上述第3半導體層所夾著的上述第1半導體層與上述第2電極之間設有絕緣層。

3.如權利要求1或2記載的半導體裝置，

上述多個第3半導體層在與上述第1方向交叉的方向上延伸。

4.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，

具備以下工序：

準備第1導電型的第1半導體層和相接于上述第1半導體層且雜質元素濃度比上述第1半導體層高的第1導電型的第2半導體層的工序；

在與上述第2半導體層相反側的上述第1半導體層的表面，將第2導電型雜質元素選擇性地導入而形成與上述第1半導體層相接的第2導電型的多個第3半導體層的工序；以及

在氧化氣氛中對上述第1半導體層的上述表面以及上述多個第3半導體層的表面進行加熱，從而形成與上述第1半導體層以及上述多個第3半導體層相接的氧化物層，并且使碳從相鄰的上述第3半導體層所夾著的上述第1半導體層的上述表面朝向上述第2半導體層擴散到比上述第3半導體層深的位置，形成碳空位密度變低的區域的工序，

上述碳空位密度變低的區域為，從相鄰的上述第3半導體層所夾著的上述第1半導體層的上述表面起到比上述第3半導體層深的位置。

5.如權利要求4記載的半導體裝置的制造方法，

還具備在使上述碳擴散的工序后使上述多個第3半導體層從上述氧化物層露出的工序。