[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 201510095254.0
• 申請日: 2015-03-03
• 公開（公告）號: CN104900700A
• 公開（公告）日: 2015-09-09
• 發明（設計）人: 片岡肇;城本龍也;新田哲也
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 李蘭;孫志湧

相關申請交叉引用

將2014年3月3日提交的日本專利申請No.2014-040989的公開內容(包括說明書，附圖以及摘要)整體并入本文作為參考。

技術領域

本發明涉及一種半導體器件，其例如可適用于具有MISFET的半導體器件。

背景技術

MISFET各具有形成在半導體襯底的表面層部分中的之間具有間隔的源極區和漏極區，以及通過柵絕緣膜形成在源極區和漏極區之間的半導體襯底上的柵電極。

非專利文獻1公開了涉及具有MOSFET的功率器件的技術。

[非專利文獻]

[非專利文獻1]

R.Roggero等人,“BCD8sP:AnAdvanced0.16μm?Technology?Platform?with?State?of?the?Art?Power?Devices”(“BCD8sP：具有最新水平的功率器件的先進的0.16μm技術平臺”)，第25屆功率半導體以及IC國際學術討論會會刊(ISPSD2013)，2013年，p.361-364

發明內容

即使具有MISFET的半導體器件，也希望其具有盡可能改良的性能；希望其具有降低的尺寸；或希望其同時具有改良的性能和降低的尺寸。

本文說明和附圖將使另一問題和新穎的特征顯而易見。

根據一個實施例的半導體器件具有形成在溝道形成區和漏極半導體區之間的半導體襯底的主表面中的LOCOS氧化膜以及STI絕緣膜，且對于這些LOCOS氧化膜和STI絕緣膜來說，LOCOS氧化膜位于溝道形成區側，且STI絕緣膜位于漏極半導體區側。

根據一個實施例，可提供具有改善性能的半導體器件。

或者，可提供具有降低尺寸的半導體器件。

或者，可提供同時具有改善性能和降低尺寸的半導體器件。

附圖說明

圖1是根據一個實施例的半導體器件的局部剖面圖；

圖2是根據一個實施例的半導體器件的局部剖面圖；

圖3是根據一個實施例的半導體器件的局部平面圖；

圖4是根據一個實施例的半導體器件的局部平面圖；

圖5是根據一個實施例半導體器件在其制造步驟過程中的局部剖面圖；

圖6是圖5之后的制造步驟過程中的半導體器件的局部剖面圖；

圖7是圖6之后的制造步驟過程中的半導體器件的局部剖面圖；

圖8是圖7之后的制造步驟過程中的半導體器件的局部剖面圖；

圖9是圖8之后的制造步驟過程中的半導體器件的局部剖面圖；

圖10是圖9之后的制造步驟過程中的半導體器件的局部剖面圖；

圖11是圖10之后的制造步驟過程中的半導體器件的局部剖面圖；

圖12是圖11之后的制造步驟過程中的半導體器件的局部剖面圖；

圖13是圖12之后的制造步驟過程中的半導體器件的局部剖面圖；

圖14是圖13之后的制造步驟過程中的半導體器件的局部剖面圖；

圖15是圖14之后的制造步驟過程中的半導體器件的局部剖面圖；

圖16是圖15之后的制造步驟過程中的半導體器件的局部剖面圖；

圖17是圖16之后的制造步驟過程中的半導體器件的局部剖面圖；

圖18是圖17之后的制造步驟過程中的半導體器件的局部剖面圖；

圖19是圖18之后的制造步驟過程中的半導體器件的局部剖面圖；

圖20是圖19之后的制造步驟過程中的半導體器件的局部剖面圖；

圖21是圖20之后的制造步驟過程中的半導體器件的局部剖面圖；

圖22是圖21之后的制造步驟過程中的半導體器件的局部剖面圖；

圖23是圖22之后的制造步驟過程中的半導體器件的局部剖面圖；

圖24是圖23之后的制造步驟過程中的半導體器件的局部剖面圖；

圖25是圖24之后的制造步驟過程中的半導體器件的局部剖面圖；

圖26是圖25之后的制造步驟過程中的半導體器件的局部剖面圖；

圖27是圖26之后的制造步驟過程中的半導體器件的局部剖面圖；

圖28是圖27之后的制造步驟過程中的半導體器件的局部剖面圖；

圖29是根據第一研究實例的半導體器件的局部剖面圖；

圖30是根據第一研究實例的半導體器件的局部平面圖；