[發明專利]一種對準圖形及其制作方法

有效

• 申請號: 201510094928.5
• 申請日: 2015-03-03
• 公開（公告）號: CN105988311B
• 公開（公告）日: 2018-03-16
• 發明（設計）人: 李兵;章國偉
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G03F9/00
• 分類號: G03F9/00;H01L23/544
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所11336
• 代理人: 董巍,高偉

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，具體而言涉及特別涉及一種對準圖形及其制作方法。

背景技術

半導體器件的后段DPS制程中包括：芯片切割(Die saw)/取放料PNP(pick and place)等工藝，在后段DPS制程中的晶圓需要做精確對準(alignment)，其通過晶圓上定義的圖形利用圖像對比達到精確定位。目前使用晶圓上既有的圖形作為對準圖形，既有圖形包括芯片拐角(die corner)和凸塊(bump)。

但是由于定義的對準圖形在晶圓上會每個芯片每個芯片的重復，導致對準可能會偏差一個芯片的距離，使DPS制程中的布局圖(map)與實際晶圓存在偏差。而這種偏差的存在，很可能會導致大量返工或者將無效芯片(fail die)出貨等問題。

因此，如何避免對準偏差的產生是亟待解決的技術問題。

發明內容

在發明內容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實施方式部分中進一步詳細說明。本發明的發明內容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術方案的關鍵特征和必要技術特征，更不意味著試圖確定所要求保護的技術方案的保護范圍。

為了克服目前存在的問題，本發明實施例一提供一種對準圖形的制作方法，包括：

提供晶圓，所述晶圓表面上形成負光阻；

進行第一曝光，以初步定義正常的凸塊圖形；

選取位于所述晶圓的邊緣的包含有效芯片數量不超過10個的若干區域為第二曝光區域，進行至少一次第二曝光，其中所述第二曝光位置與所述第一曝光位置至少錯開二分之一所述負光阻已打開圖形的距離；

進行顯影，其中在所述第二曝光區域的負光阻不會被顯影去掉；

形成凸塊和位于所述第二曝光區域的無凸塊區。

進一步，所述若干區域的數量為3個。

進一步，所述第一曝光和所述第二曝光均使用凸塊曝光光罩。

進一步，所述凸塊的材料為金或錫銀合金。

進一步，采用電鍍法形成所述凸塊。

進一步，適用于后段DPS制程。

本發明實施例二提供一種采用上述方法制作的對準圖形，包括：位于晶圓上的有凸塊區和無凸塊區，其中所述無凸塊區位于所述晶圓的邊緣區域。

進一步，所述對準圖形的數量為3個。

綜上所述，根據本發明的制作方法，在現有凸塊曝光光罩前提下，通過步進曝光機曝光布局圖的編輯以及對個別區域多次曝光制造出包括凸塊區和無凸塊區的獨特圖形來作為對準圖形，降低對準圖形在晶圓上的重復率，極大降低DPS對準偏差問題，避免大量返工或者將無效芯片出貨的問題。

附圖說明

本發明的下列附圖在此作為本發明的一部分用于理解本發明。附圖中示出了本發明的實施例及其描述，用來解釋本發明的原理。

附圖中：

圖1A示出了本發明一具體實施方式中曝光單元的平面布局圖；

圖1B示出了本發明晶圓邊緣二次曝光區域中第一曝光光罩和第二曝光光罩的平面示意圖；

圖2示出了本發明一具體實施方式依次實施步驟的工藝流程圖。

具體實施方式

在下文的描述中，給出了大量具體的細節以便提供對本發明更為徹底的理解。然而，對于本領域技術人員而言顯而易見的是，本發明可以無需一個或多個這些細節而得以實施。在其他的例子中，為了避免與本發明發生混淆，對于本領域公知的一些技術特征未進行描述。

應當理解的是，本發明能夠以不同形式實施，而不應當解釋為局限于這里提出的實施例。相反地，提供這些實施例將使公開徹底和完全，并且將本發明的范圍完全地傳遞給本領域技術人員。在附圖中，為了清楚，層和區的尺寸以及相對尺寸可能被夸大。自始至終相同附圖標記表示相同的元件。

應當明白，當元件或層被稱為“在…上”、“與…相鄰”、“連接到”或“耦合到”其它元件或層時，其可以直接地在其它元件或層上、與之相鄰、連接或耦合到其它元件或層，或者可以存在居間的元件或層。相反，當元件被稱為“直接在…上”、“與…直接相鄰”、“直接連接到”或“直接耦合到”其它元件或層時，則不存在居間的元件或層。應當明白，盡管可使用術語第一、第二、第三等描述各種元件、部件、區、層和/或部分，這些元件、部件、區、層和/或部分不應當被這些術語限制。這些術語僅僅用來區分一個元件、部件、區、層或部分與另一個元件、部件、區、層或部分。因此，在不脫離本發明教導之下，下面討論的第一元件、部件、區、層或部分可表示為第二元件、部件、區、層或部分。