[發明專利]一種陣列基板的制作方法及陣列基板

有效

• 申請號: 201510094449.3
• 申請日: 2015-03-03
• 公開（公告）號: CN104701250B
• 公開（公告）日: 2018-01-16
• 發明（設計）人: 高冬子
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司44304
• 代理人: 孫偉峰

技術領域

本發明涉及顯示面板制造領域，尤其涉及一種陣列基板的制作方法及陣列基板。

背景技術

在液晶顯示面板的陣列基板制備工藝中，過孔工藝是一項很重要的工藝，陣列基板中通常通過過孔工藝將位于不同層級的金屬裸露，然后通過后續工藝利用ITO(氧化銦錫)材料將位于不同層級的金屬的裸露部分連接，或將位于同一層級的金屬連接，例如陣列基板的柵極線與數據線之間的連接、數據線與像素電極之間的連接以及公共電極線的矩陣結構的形成等。過孔工藝的優劣直接影響到產品的良率以及最終面板的相關性能。

目前設計過孔的設計都是挖洞式的，如圖1和圖2所示，過孔1的四周都有氮化硅圍墻2擋住，這樣在濕制程過程中風刀不易吹干過孔1，如圖3所示，容易在過孔1的位置殘留液體，ITO成ITO膜3時，殘留液體4將ITO膜3與下層的金屬層(圖中data層即數據線層)隔開，導致ITO膜3與金屬層斷開的現象，造成面板的顯示不良。

發明內容

鑒于現有技術存在的不足，本發明提供了一種因液體殘留產生面板顯示不良的陣列基板的制作方法及陣列基板。

為了實現上述的目的，本發明采用了如下的技術方案：

一種陣列基板的制作方法，包括：

預刻蝕，自基板上表面的第一層對陣列基板進行刻蝕形成過孔，直至所述過孔延伸至需要電連接的金屬層；

二次刻蝕，對所述過孔進行再次刻蝕，使所述過孔的至少一個邊緣延伸至越過所述金屬層的一個邊緣，形成通孔；

沉積電極層，連接所述金屬層與相應的金屬部分。

其中，所述過孔包括至少兩條交叉的長槽或長孔。

其中，所述過孔為交叉的“十”字形槽或孔。

其中，所述過孔為多個。

其中，所述金屬層為數據線金屬層。

其中，所述過孔的開口自底面到頂面逐漸變寬。

其中，所述過孔的至少一端貫穿所述第一層的側壁。

本發明還提供了一種陣列基板，使用上述的制作方法制造而成。

本發明將陣列基板的過孔的至少一個邊緣延伸至越過金屬層的一個邊緣，形成通孔，液體在過孔內容易經過風刀吹出二不產生殘留，可以確保電極層沉積過程中能與金屬層完全接觸，避免不良品的產生。

附圖說明

圖1為現有技術的陣列基板結構示意圖。

圖2為圖1的一個剖面結構示意圖。

圖3為圖1的過孔不良時的結構示意圖。

圖4為本發明實施例一的陣列基板的制作方法示意圖

圖5為本發明實施例一的陣列基板結構示意圖。

圖6為圖5的陣列基板的一個剖面結構示意圖。

圖7為本發明實施例二的陣列基板的剖面結構示意圖。

具體實施方式

為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本發明進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，并不用于限定本發明。

實施例一

結合圖4～圖6，本發明的陣列基板的制作方法，包括如下步驟：

S01：預刻蝕，自基板上表面的第一層12對陣列基板進行刻蝕形成過孔11，直至過孔11延伸至需要電連接的金屬層10；

S02：二次刻蝕，對過孔11進行再次刻蝕，使過孔11的至少一個邊緣延伸至越過金屬層10的一個邊緣，形成通孔；

S03：沉積電極層13，連接金屬層10與相應的金屬部分。這里，電極層13為ITO薄膜層。

由于本實施例的過孔11為通孔，風刀吹氣過程中，氣體自過孔11上表面進入，然后自過孔11下表面吹出，過孔11內的殘留液體被隨之吹出，從而很容易風干，不會由于液體殘留而導致在沉積電極層13的過程中產生不良。

為了保證在濕制程過程中過孔11內的殘留液體能更好地吹出，過孔11包括至少兩條交叉的長槽或長孔，本實施例的過孔11為交叉的“十”字形。這樣，在風刀吹氣過程中，過孔11內的液體一方面可以從過孔11下表面吹出，另一方面，還能從過孔11的“十”字槽的不同側吹出。

為了實現不同金屬部分的電連接，過孔11可以為多個。本實施例的金屬層10為數據線金屬層。

進一步地，過孔11的開口可以設置為自底面到頂面逐漸變寬。氣刀吹入的空氣可以更好地沿著傾斜的孔壁吹入，同時，吹入的氣體還能沿著傾斜的孔壁將殘留的液體反向吹出，達到徹底清除的功效。

本實施例還提供了一種陣列基板，利用上述制作方法制造而成，有效避免了過孔11內液體的殘留，降低了基板和顯示面板的不良率。