[發(fā)明專利]一種陣列基板的制作方法及陣列基板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510094449.3 | 申請日： | 2015-03-03 |
| 公開（公告）號： | CN104701250B | 公開（公告）日： | 2018-01-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 高冬子 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳市華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 深圳市銘粵知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司44304 | 代理人： | 孫偉峰 |
| 地址： | 518132 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 陣列 制作方法 | ||
1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：
預(yù)刻蝕，自基板上表面的第一層(12)對陣列基板進(jìn)行刻蝕形成過孔(11)，直至所述過孔(11)延伸至需要電連接的金屬層(10)；
二次刻蝕，對所述過孔(11)進(jìn)行再次刻蝕，使所述過孔(11)的至少一個(gè)邊緣延伸至越過所述金屬層(10)的一個(gè)邊緣，形成通孔，并且使所述過孔(11)的至少一個(gè)邊緣貫穿所述第一層(12)的側(cè)壁；
沉積電極層(13)，連接所述金屬層(10)與相應(yīng)的金屬部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述過孔(11)包括至少兩條交叉的長槽或長孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述過孔(11)為交叉的“十”字形槽或孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述過孔(11)為多個(gè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述金屬層(10)為數(shù)據(jù)線金屬層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述過孔(11)的開口自底面到頂面逐漸變寬。
7.一種陣列基板，其特征在于，使用權(quán)利要求1-6任一所述的制作方法制造而成。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
