[發(fā)明專利]多測(cè)試流程的測(cè)試方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510093564.9
• 申請(qǐng)日: 2015-03-02
• 公開（公告）號(hào): CN104678290A
• 公開（公告）日: 2015-06-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 余琨;張文情;張志勇;祁建華;葉守銀;羅斌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華嶺集成電路技術(shù)股份有限公司
• 主分類號(hào): G01R31/28
• 分類號(hào): G01R31/28;G01R31/26
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 周耀君

1.一種多測(cè)試流程的測(cè)試方法，其特征在于，包括以下步驟：

在待測(cè)晶圓上選取多個(gè)待測(cè)芯片作為第一次采樣點(diǎn)；

對(duì)所述待測(cè)晶圓進(jìn)行第一次測(cè)試流程測(cè)試，并根據(jù)所述第一次采樣點(diǎn)在所述第一次測(cè)試流程測(cè)試中的測(cè)試結(jié)果，確定第二次采樣點(diǎn)；

第二次測(cè)試流程對(duì)所述第二次采樣點(diǎn)進(jìn)行測(cè)試。

2.如權(quán)利要求1所述的多測(cè)試流程的測(cè)試方法，其特征在于，選取所述第一次采樣點(diǎn)的方法為在所述待測(cè)晶圓上均勻選取。

3.如權(quán)利要求2所述的多測(cè)試流程的測(cè)試方法，其特征在于，選取所述第一次采樣點(diǎn)的方法為在所述待測(cè)晶圓上以九宮格的方法選取。

4.如權(quán)利要求2所述的多測(cè)試流程的測(cè)試方法，其特征在于，選取所述第一次采樣點(diǎn)的方法為在所述待測(cè)晶圓上以十六宮格的方法選取。

5.如權(quán)利要求3或4所述的多測(cè)試流程的測(cè)試方法，其特征在于，所述第一次采樣點(diǎn)是所述九宮格或者所述十六宮格所劃分每個(gè)區(qū)域的中心，或者在所述九宮格或者所述十六宮格所劃分每個(gè)區(qū)域中選取多個(gè)所述待測(cè)芯片作為所述第一次采樣點(diǎn)。

6.如權(quán)利要求1所述的多測(cè)試流程的測(cè)試方法，其特征在于，所述第一次采樣點(diǎn)根據(jù)所述待測(cè)晶圓上待測(cè)芯片的良率分布來選擇。

7.如權(quán)利要求6所述的多測(cè)試流程的測(cè)試方法，其特征在于，所述待測(cè)晶圓上的所述待測(cè)芯片良率高的區(qū)域選取的所述第一次采樣點(diǎn)的數(shù)目小于良率低的區(qū)域。

8.如權(quán)利要求1所述的多測(cè)試流程的測(cè)試方法，其特征在于，所述第一次測(cè)試流程測(cè)試包括一第一測(cè)試項(xiàng)，所述第一測(cè)試項(xiàng)根據(jù)所述第二次測(cè)試流程的測(cè)試內(nèi)容設(shè)置。

9.如權(quán)利要求1所述的多測(cè)試流程的測(cè)試方法，其特征在于，所述第二次采樣點(diǎn)的確定方法為:

如果所述第一次采樣點(diǎn)通過所述第一次測(cè)試流程的測(cè)試，則所述第一次采樣點(diǎn)即為所述第二次采樣點(diǎn)；

如果所述第一次采樣點(diǎn)在所述第一次測(cè)試流程中的測(cè)試失效，則將所述第一次采樣點(diǎn)的下一坐標(biāo)的待測(cè)芯片作為第一次采樣點(diǎn)，再次進(jìn)行所述第一次測(cè)試流程測(cè)試，直到所述第一次采樣點(diǎn)通過所述第一次測(cè)試流程的測(cè)試。

10.如權(quán)利要求9所述的多測(cè)試流程的測(cè)試方法，其特征在于，所述第一次采樣點(diǎn)的下一坐標(biāo)的待測(cè)芯片指與所述第一次采樣點(diǎn)同行的下一列的所述待測(cè)芯片；或者為與所述第一次采樣點(diǎn)同列下一行的所述待測(cè)芯片；或者為所述第一次采樣點(diǎn)的下一行下一列的所述待測(cè)芯片。