[發明專利]提高了板級可靠性的晶片級封裝裝置

有效

• 申請號: 201510093046.7
• 申請日: 2015-03-02
• 公開（公告）號: CN104900544B
• 公開（公告）日: 2019-06-14
• 發明（設計）人: P·R·哈珀;M·梅森;A·V·薩莫伊洛夫
• 申請（專利權）人: 馬克西姆綜合產品公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/492
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 李隆濤

1.一種晶片級封裝裝置，其包括：

經處理的半導體晶片，其包括至少一個集成電路管芯；

金屬墊，其設置在所述至少一個集成電路管芯上；

第一電介質層，其設置在所述至少一個集成電路管芯上以及所述金屬墊的至少一部分上；

再分布層，其至少部分地形成在所述金屬墊和所述第一電介質層上；

第二電介質層，其設置在所述第一電介質層上以及所述再分布層的一部分上；

柱結構，其形成在所述再分布層上；

模制層，其至少部分地形成在所述第二電介質層上；

鋸切的柱層，其形成在所述柱結構上并抵接所述柱結構，其中所述鋸切的柱層覆蓋所述柱結構并且是部分懸臂構造，并且其中所述鋸切的柱層形成暴露的引線末端；和

鍍覆層，其形成在所述柱層上，其中所述鋸切的柱層的兩側被配置成附著到焊料連接，所述焊料連接形成焊料角焊縫。

2.根據權利要求1所述的晶片級封裝裝置，其中，設置在所述至少一個集成電路管芯上的所述金屬墊包括鋁。

3.根據權利要求1所述的晶片級封裝裝置，其中，所述第一電介質層或所述第二電介質層中的至少一個包括聚苯并惡唑材料。

4.根據權利要求1所述的晶片級封裝裝置，其中，所述第一電介質層或所述第二電介質層中的至少一個包括聚酰亞胺材料。

5.根據權利要求1所述的晶片級封裝裝置，其中，所述柱結構或所述柱層中的至少一個包括銅。

6.根據權利要求1所述的晶片級封裝裝置，其中，所述柱結構包括屏障材料。

7.根據權利要求1所述的晶片級封裝裝置，其中，所述柱層在所述柱結構上形成懸臂。

8.根據權利要求1所述的晶片級封裝裝置，其中，所述模制層包括環氧基材料。

9.根據權利要求1所述的晶片級封裝裝置，其中，形成在所述柱層上的鍍覆層包括錫。

10. 一種電子裝置，其包括：

印刷電路板；以及

晶片級封裝件，其利用包含焊料角焊縫的至少一個焊料連接結合到所述印刷電路板上，所述晶片級封裝件包括：

經處理的半導體晶片，其包括至少一個集成電路管芯；

金屬墊，其設置在所述至少一個集成電路管芯上；

第一電介質層，其設置在所述至少一個集成電路管芯上以及所述金屬墊的至少一部分上；

再分布層，其至少部分地形成在所述金屬墊和所述第一電介質層上；

第二電介質層，其設置在所述第一電介質層上以及所述再分布層的一部分上；

柱結構，其形成在所述再分布層上；

模制層，其至少部分地形成在所述第二電介質層上；

鋸切的柱層，其形成在所述柱結構上并抵接所述柱結構，其中所述鋸切的柱層覆蓋所述柱結構并且是部分懸臂構造，并且其中所述鋸切的柱層形成暴露的引線末端；和

鍍覆層，其形成在所述柱層上，其中所述鋸切的柱層的兩側被配置成附著到所述至少一個焊料連接，所述至少一個焊料連接形成焊料角焊縫。

11.根據權利要求10所述的電子裝置，其中，設置在所述至少一個集成電路管芯上的所述金屬墊包括鋁。

12.根據權利要求10所述的電子裝置，其中，所述第一電介質層或所述第二電介質層中的至少一個包括聚苯并惡唑材料。

13.根據權利要求10所述的電子裝置，其中，所述第一電介質層或所述第二電介質層中的至少一個包括聚酰亞胺材料。

14.根據權利要求10所述的電子裝置，其中，所述柱結構或所述柱層中的至少一個包括銅。