[發明專利]緊湊型三維存儲器

有效

• 申請號: 201510090124.8
• 申請日: 2015-02-28
• 公開（公告）號: CN104978990B
• 公開（公告）日: 2017-11-10
• 發明（設計）人: 張國飆
• 申請（專利權）人: 成都海存艾匹科技有限公司
• 主分類號: G11C11/16
• 分類號: G11C11/16;G11C5/02;H01L27/102
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種緊湊型三維存儲器（3D-M_C），其特征在于含有：

一半導體襯底(0)；

至少一堆疊在該半導體襯底(0)上的第一存儲層(10)，該第一存儲層含有：

連續且導電的的第一x地址線(11a)和第二x地址線(11c)；

一連續且導電的、與該第一和第二x地址線(11a, 11c)交叉的y地址線(12a)，至少一存儲器件(1aa)形成在交叉處；

一連續且導電的、與該第一和第二x地址線(11a, 11c)交叉的第一控制線(17a)，一第一開關器件(3aa)形成在該第一控制線(17a)與該第一x地址線(11a)的交叉處，該第一開關器件(3aa)在第一模式下阻擋該第一x地址線(11a)中的電流流動，在第二模式下允許該第一x地址線(11a)中的電流流動；

一連續且導電的、與該第一和第二x地址線(11a, 11c)交叉的第二控制線(17b)，一第二開關器件(3cb)形成在該第二控制線(17b)與該第二x地址線(11c)交叉處，該第二開關器件(3cb)在第三模式下阻擋該第二x地址線(11c)中的電流流動，在第四模式下允許該第二x地址線(11c)中的電流流動；

一與該半導體襯底(0)耦合的接觸通道孔(13ac)，該第一x地址線(11a)通過該第一開關器件(3aa)與該接觸通道孔(13ac)耦合，該第二x地址線(11c)通過該第二開關器件(3cb)與該接觸通道孔(13ac)耦合。

2.根據權利要求1所述的緊湊型三維存儲器，其特征還在于：該存儲器件(1aa)是一二端口器件。

3.根據權利要求1所述的緊湊型三維存儲器，其特征還在于：該第一和第二開關器件(3aa, 3cb)是三端口器件。

4.根據權利要求1所述的緊湊型三維存儲器，其特征還在于：該接觸通道孔(13ac)與相鄰接觸通道孔的間隔(G_c)大于該第一x地址線(11a)或該第二x地址線(11c)的周期(p)。

5.一種緊湊型三維存儲器（3D-M_C），其特征在于含有：

一半導體襯底(0)；

一堆疊在該半導體襯底(0)上第一存儲層(10)，該第一存儲層(10)含有：

一連續且導電的第一x地址線(11a)；

一連續且導電的、與該第一x地址線(11a)交叉的第一y地址線(12a)，一第一存儲器件(1aa)形成在該第一y地址線(12a)與該第一x地址線(11a) 的交叉處；

一連續且導電的、與該第一x地址線(11a)交叉的第一控制線(17)，一第一開關器件(3a)形成在該第一控制線(17)與該第一x地址線(11a)的交叉處，該第一開關器件(3a)在第一模式下阻擋該第一x地址線(11a)中的電流流動，在第二模式下允許該第一x地址線(11a)中的電流流動；

一堆疊在該第一存儲層(10)上的第二存儲層(20)，該第二存儲層(20)含有：

一連續且導電的第二x地址線(21a)；

一連續且導電的、與該第二x地址線(21a)交叉的第二y地址線(22a)，一第二存儲器件(2aa)形成在該第二y地址線(22a)與該第二x地址線(21a) 的交叉處；

一連續且導電、與該第二x地址線(21a)交叉的第二控制線(27)，一第二開關器件(4a)形成在該第二x地址線(21a)與該第二控制線(27)交叉處，該第二開關器件(4a)在第三模式下阻擋該第二x地址線(21a)中的電流流動，在第四模式下允許該第二x地址線(21a)中的電流流動;

一與該半導體襯底(0)耦合的接觸通道孔(5a)，該第一x地址線(11a)通過該第一開關器件(3a)與該接觸通道孔(5a)耦合，該第二x地址線(21a)通過該第二開關器件(4a)與該接觸通道孔(5a)耦合。

6.根據權利要求5所述的緊湊型三維存儲器，其特征還在于：該第一和第二存儲器件(1aa, 2aa)是二端口器件。

7.根據權利要求5所述的緊湊型三維存儲器，其特征還在于：該第一和第二開關器件(3a, 4a)是三端口器件。