[發明專利]襯底處理裝置及半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201510090076.2
• 申請日: 2015-02-27
• 公開（公告）號: CN105990083B
• 公開（公告）日: 2018-02-23
• 發明（設計）人: 上田立志
• 申請（專利權）人: 株式會社日立國際電氣
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 楊宏軍,李文嶼

1.一種襯底處理裝置，包括：

處理室，對襯底進行處理；

襯底載置臺，設于所述處理室，將多個襯底呈圓周狀載置；

旋轉部，使所述襯底載置臺旋轉；

第一氣體供給部，從所述襯底載置臺的上方供給第一氣體；

第二氣體供給部，從所述襯底載置臺的上方供給第二氣體；

第三氣體供給部，從所述襯底載置臺的上方供給清潔氣體；以及

升降部，其被控制為：在供給所述第一氣體和所述第二氣體期間，將所述襯底載置臺維持于襯底處理位置，在供給所述清潔氣體期間，將所述襯底載置臺維持于清潔位置，

所述清潔位置設定為比所述襯底處理位置低的位置。

2.根據權利要求1所述的襯底處理裝置，其中，

所述襯底處理位置下的所述襯底載置臺表面與從所述處理室的頂板突出的凸狀部件之間的距離，小于所述清潔位置下的所述襯底載置臺表面與從所述處理室的頂板突出的凸狀部件之間的距離。

3.根據權利要求2所述的襯底處理裝置，其中，

所述凸狀部件是所述第一氣體供給部、第二氣體供給部和第三氣體供給部中的任一個。

4.根據權利要求1所述的襯底處理裝置，其中，

所述襯底處理位置下的所述襯底載置臺表面與所述處理室的頂板之間的距離，小于所述清潔位置下的所述襯底載置臺表面與所述處理室的頂板之間的距離。

5.根據權利要求1所述的襯底處理裝置，其中，

所述第三氣體供給部在所述襯底載置臺被維持于襯底處理位置的期間，向所述處理室供給惰性氣體，在所述襯底載置臺被維持于所述清潔位置的期間，向所述處理室供給清潔氣體。

6.根據權利要求2所述的襯底處理裝置，其中，

所述第三氣體供給部在所述襯底載置臺被維持于襯底處理位置的期間，向所述處理室供給惰性氣體，在所述襯底載置臺被維持于所述清潔位置的期間，向所述處理室供給清潔氣體。

7.根據權利要求3所述的襯底處理裝置，其中，

所述第三氣體供給部在所述襯底載置臺被維持于襯底處理位置的期間，向所述處理室供給惰性氣體，在所述襯底載置臺被維持于所述清潔位置的期間，向所述處理室供給清潔氣體。

8.根據權利要求4所述的襯底處理裝置，其中，

所述第三氣體供給部在所述襯底載置臺被維持于襯底處理位置的期間，向所述處理室供給惰性氣體，在所述襯底載置臺被維持于所述清潔位置的期間，向所述處理室供給清潔氣體。

9.根據權利要求1所述的襯底處理裝置，其中，

在將所述襯底載置臺維持在所述清潔位置，并從所述第三氣體供給部供給清潔氣體的期間，從所述第一氣體供給部和所述第二氣體供給部中的任一方或雙方供給惰性氣體。

10.根據權利要求2所述的襯底處理裝置，其中，

在將所述襯底載置臺維持在所述清潔位置，并從所述第三氣體供給部供給清潔氣體的期間，從所述第一氣體供給部和所述第二氣體供給部中的任一方或雙方供給惰性氣體。

11.根據權利要求3所述的襯底處理裝置，其中，

在將所述襯底載置臺維持在所述清潔位置，并從所述第三氣體供給部供給清潔氣體的期間，從所述第一氣體供給部和所述第二氣體供給部中的任一方或雙方供給惰性氣體。

12.根據權利要求4所述的襯底處理裝置，其中，

在將所述襯底載置臺維持在所述清潔位置，并從所述第三氣體供給部供給清潔氣體的期間，從所述第一氣體供給部和所述第二氣體供給部中的任一方或雙方供給惰性氣體。

13.根據權利要求5所述的襯底處理裝置，其中，

在將所述襯底載置臺維持在所述清潔位置，并從所述第三氣體供給部供給清潔氣體的期間，從所述第一氣體供給部和所述第二氣體供給部中的任一方或雙方供給惰性氣體。

14.根據權利要求1所述的襯底處理裝置，其中，

所述第一氣體供給部具有第一氣體供給孔，所述第二氣體供給部具有第二氣體供給孔，所述第三氣體供給部具有第三氣體供給孔，在所述處理室的上方，呈圓周狀地配置有所述第一氣體供給孔和所述第二氣體供給孔的組合且配置多個組合，所述第三氣體供給孔配置于所述第一氣體供給孔與所述第二氣體供給孔之間。