[發明專利]襯底處理裝置及半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201510090076.2
• 申請日: 2015-02-27
• 公開（公告）號: CN105990083B
• 公開（公告）日: 2018-02-23
• 發明（設計）人: 上田立志
• 申請（專利權）人: 株式會社日立國際電氣
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 楊宏軍,李文嶼

技術區域

本發明涉及襯底處理裝置及半導體器件的制造方法。

背景技術

通常，在半導體器件的制造工序中，使用對晶片等襯底進行成膜處理等工藝處理的襯底處理裝置。作為襯底處理裝置進行的工藝處理，例如有利用交替供給法進行的成膜處理。在利用交替供給法進行的成膜處理中，對于作為處理對象的襯底，以原料氣體供給工序、吹掃工序、反應氣體供給工序、吹掃工序為1次循環而重復進行該循環規定次數(n次循環)，由此在襯底上進行成膜。作為進行這樣的成膜處理的襯底處理裝置有構成為如下構造的裝置：對于作為處理對象的襯底，從其上方側向襯底的面上供給各種氣體(原料氣體、反應氣體或吹掃氣體等)，并使供給到襯底的面上的各種氣體向襯底的上方側排氣(例如，參照專利文獻1)。

在采用這樣的襯底處理裝置的情況下，包括：在表面呈圓周狀地載置多個襯底的襯底載置面；具有襯底載置面的襯底載置臺；在與襯底載置面相面對的位置設置的氣體供給部。氣體供給部是相對于襯底載置臺的旋轉方向交替供給氣體的構造。在成膜處理中，襯底載置臺在氣體供給部的下方旋轉，從而在襯底上形成膜。

然而，在使載置有多個襯底的襯底載置臺旋轉，并對各襯底交替供給氣體的情況下，從氣體的使用效率等觀點考慮，做成使各個氣體不混合的構造、增多向晶片上的氣體暴露量的構造。

在先技術文獻

專利文獻1：日本特開2011－222960。

發明內容

若向襯底交替供給氣體，則在載置襯底的襯底載置臺的表面也被交替供給氣體。因而，在襯底載置臺上也會形成膜。由于形成于襯底載置臺的膜會可能對成膜帶來不良影響，因此在這樣的裝置中進行定期清潔。作為清潔的方法，例如有向處理室內供給等離子體狀態的清潔氣體的方法。

然而，在如上所述欲使氣體不混合、或欲增多氣體的暴露量的情況下，要求將氣體封入規定空間。規定空間是指例如氣體供給孔的下方的空間。在用這種構造供給清潔氣體的情況下，清潔氣體難以擴散到規定空間以外，因此在襯底載置臺上清潔不均。若變得不均，則認為存在引起由清潔氣體所指的過度蝕刻(over-etching)、或無法將清潔對象物清潔的情況。

本發明的目的在于提供一種實現無不均的均勻清潔的襯底處理裝置、半導體器件的制造方法及程序。

根據本發明的一方案，提供一種襯底處理裝置，包括：

處理室，對襯底進行處理；

襯底載置臺，設于所述處理室，將多個襯底呈圓周狀載置；

旋轉部，使所述襯底載置臺旋轉；

第一氣體供給部，從所述襯底載置臺的上方供給第一氣體；

第二氣體供給部，從所述襯底載置臺的上方供給第二氣體；

第三氣體供給部，從所述襯底載置臺的上方供給清潔氣體；以及

升降部，其被控制為：在供給所述第一氣體和所述第二氣體期間，將所述襯底載置臺維持于襯底處理位置，在供給所述清潔氣體期間，將所述襯底載置臺維持于清潔位置。

根據本發明的另一方案，提供一種半導體器件的制造方法，包括如下工序：

將襯底搬入處理室，并將其呈圓周狀地載置于內置于所述處理室的襯底載置臺上；

將所述襯底載置臺維持在襯底處理位置；

一邊使所述襯底載置臺旋轉，一邊由第一氣體供給部及第二氣體供給部從所述襯底載置臺的上方供給第一氣體和第二氣體，對被維持在所述襯底處理位置的所述襯底載置臺上的所述襯底進行處理；

從所述處理室搬出所述襯底；

將所述襯底載置臺維持在清潔位置；以及

從所述第三氣體供給部供給清潔氣體而對被維持于所述清潔位置的所述襯底載置臺進行清潔。

根據本發明的又一方案，提供一種程序，執行如下工序：

將襯底搬入處理室，并將其呈圓周狀地載置于內置于所述處理室的襯底載置臺上；

將所述襯底載置臺維持在襯底處理位置；

一邊使所述襯底載置臺旋轉，一邊由第一氣體供給部及第二氣體供給部從所述襯底載置臺的上方供給第一氣體和第二氣體，對被維持在所述襯底處理位置的所述襯底載置臺上的所述襯底進行處理；

從所述處理室搬出所述襯底；

將所述襯底載置臺維持在清潔位置；以及

從所述第三氣體供給部供給清潔氣體而對被維持于所述清潔位置的所述襯底載置臺進行清潔。

根據本發明，能夠提供一種實現無不均的均勻清潔的襯底處理裝置、半導體器件的制造方法及程序。

附圖說明