[發明專利]高頻等離子體處理裝置和高頻等離子體處理方法

有效

• 申請號: 201510090022.6
• 申請日: 2015-02-27
• 公開（公告）號: CN104882376B
• 公開（公告）日: 2018-11-09
• 發明（設計）人: 東條利洋;佐佐木和男
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L21/66
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種高頻等離子體處理裝置，其具有與絕緣物接觸的電極，對所述電極施加高頻電力，利用由此生成的等離子體對基板進行等離子體處理，所述高頻等離子體處理裝置的特征在于，包括：

對基板進行等離子體處理的處理室；

收納與所述絕緣物接觸的狀態的所述電極的電極收納部；

對所述電極施加高頻電力的高頻電源；和

濕度調整單元，其調整所述電極收納部內的濕度，使得不在所述電極收納部內產生沿面放電，

所述濕度調整單元具有對所述電極收納部供給干燥氣體的干燥氣體供給機構，

所述高頻等離子體處理裝置還包括：

測定所述電極收納部內的濕度的濕度計；和

放電防止部，其在干燥氣體從所述干燥氣體供給機構供給至所述電極收納部時，在所述濕度計的測定值超過規定的閾值的情況下，不允許所述高頻電源的動作，在所述濕度計的測定值在所述閾值以下的情況下，允許所述高頻電源的動作。

2.如權利要求1所述的高頻等離子體處理裝置，其特征在于：

所述高頻等離子體處理裝置為感應耦合等離子體處理裝置，

所述電極為在所述處理室內形成感應磁場的高頻天線，

所述電極收納部是設置在所述處理室的上方的用于收納所述高頻天線的天線室。

3.一種高頻等離子體處理裝置，其具有與絕緣物接觸的電極，對所述電極施加高頻電力，利用由此生成的等離子體對基板進行等離子體處理，所述高頻等離子體處理裝置的特征在于，包括：

對基板進行等離子體處理的處理室；

收納與所述絕緣物接觸的狀態的所述電極的電極收納部；

對所述電極施加高頻電力的高頻電源；和

濕度調整單元，其調整所述電極收納部內的濕度，使得不在所述電極收納部內產生沿面放電，

所述濕度調整單元具有對所述電極收納部供給干燥氣體的干燥氣體供給機構，

所述高頻等離子體處理裝置還包括：

測定在對所述電極收納部供給所述干燥氣體時的流量的流量傳感器；和

放電防止部，其設定有以規定流量使干燥氣體從干燥氣體供給機構流到所述電極收納部時的所述電極收納部內的濕度成為規定的閾值以下為止的所需時間，在所述流量傳感器成為所述規定流量后直至經過所述所需時間為止不允許所述高頻電源的動作，在經過所述所需時間后允許所述高頻電源的動作。

4.如權利要求3所述的高頻等離子體處理裝置，其特征在于：

所述放電防止部，通過所述流量傳感器檢測干燥氣體的流量異常，在該干燥氣體的流量異常持續的時間超過規定時間的情況下，不允許所述高頻電源的動作。

5.如權利要求3或4所述的高頻等離子體處理裝置，其特征在于：

所述高頻等離子體處理裝置為感應耦合等離子體處理裝置，

所述電極為在所述處理室內形成感應磁場的高頻天線，

所述電極收納部是設置在所述處理室的上方的用于收納所述高頻天線的天線室。

6.一種高頻等離子體處理方法，其從高頻電源對與絕緣物接觸的電極施加高頻電力，利用由此生成的等離子體對處理室內的基板進行等離子體處理，所述高頻等離子體處理方法的特征在于：

將與所述絕緣物接觸的狀態的所述電極收納在電極收納部，

對所述電極收納部內的濕度進行調整使得不在所述電極收納部內產生沿面放電，并且進行等離子體處理，

所述濕度的調整通過對所述電極收納部供給干燥氣體而進行，

利用濕度計測定所述電極收納部內的濕度，

在干燥氣體供給到所述電極收納部時，在所述濕度計的測定值超過規定的閾值的情況下，不允許所述高頻電源的動作，在所述濕度計的測定值在所述閾值以下的情況下，允許所述高頻電源的動作。

7.如權利要求6所述的高頻等離子體處理方法，其特征在于：

施加所述高頻電力而生成的所述等離子體為感應耦合等離子體，

所述電極為在所述處理室內形成感應磁場的高頻天線，

所述電極收納部為設置在所述處理室的上方的用于收納所述高頻天線的天線室。