[發(fā)明專利]高頻等離子體處理裝置和高頻等離子體處理方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201510090022.6 | 申請日: | 2015-02-27 |
| 公開(公告)號: | CN104882376B | 公開(公告)日: | 2018-11-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 東條利洋;佐佐木和男 | 申請(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/3065 | 分類號: | H01L21/3065;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 高頻 等離子體 處理 裝置 方法 | ||
本發(fā)明提供在與被施加高頻電力的電極接觸的絕緣物的部分難以產(chǎn)生沿面放電的高頻等離子體處理裝置以及高頻等離子體處理方法。本發(fā)明的高頻等離子體處理裝置,具有與絕緣物(17)接觸的電極(13),對電極(13)施加高頻電力,利用由此生成的等離子體對基板(G)進(jìn)行等離子體處理,該高頻等離子體處理裝置包括:進(jìn)行等離子體處理的處理室(4);收納與絕緣物(17)接觸的狀態(tài)的電極(13)的電極收納部(3);對電極(13)施加高頻電力的高頻電源(15);和濕度調(diào)整單元(58),其調(diào)整電極收納部(3)內(nèi)的濕度,使得不在電極收納部(3)內(nèi)產(chǎn)生沿面放電。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及使用高頻電力對被處理基板實(shí)施等離子體處理的高頻等離子體處理裝置和高頻等離子體處理方法。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體基板和液晶顯示裝置(LCD)等的平板顯示器(FPD)的制造工序中,存在對基板進(jìn)行等離子體蝕刻、成膜處理等的等離子體處理的工序,為了進(jìn)行這樣的等離子體處理而使用等離子體蝕刻裝置、等離子體CVD裝置等各種的等離子體處理裝置。作為等離子體處理裝置,通常使用高頻電力生成等離子體。
作為使用高頻電力的等離子體處理裝置,最近,具有能夠以高真空度得到高密度的等離子體這樣的較大的優(yōu)點(diǎn)的感應(yīng)耦合等離子體(Inductively Coupled Plasma:ICP)處理裝置受到關(guān)注。
作為感應(yīng)耦合等離子體處理裝置,在收納被處理基板的處理容器的構(gòu)成頂壁的電介質(zhì)窗的上側(cè)設(shè)置天線室,在其中配置高頻天線,對處理容器內(nèi)供給處理氣體,并且對該高頻天線供給高頻電力,由此,在處理容器內(nèi)生成感應(yīng)耦合等離子體,通過該感應(yīng)耦合等離子體對被處理基板實(shí)施規(guī)定的等離子體處理(例如專利文獻(xiàn)1)。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特開2004-55895號公報
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明想要解決的技術(shù)問題
但是,天線室內(nèi)的高頻天線被絕緣物按壓,但已明確,當(dāng)對高頻天線施加由高頻電力時,有時主要會在絕緣物的部分產(chǎn)生沿面放電。當(dāng)產(chǎn)生沿面放電時,存在絕緣物的劣化發(fā)展導(dǎo)致絕緣破壞等的可能性。
這樣的沿面放電,不限于感應(yīng)耦合等離子體處理裝置,在平行平板型的電容耦合等離子體處理裝置中,有時也會在按壓被施加高頻電力的電極的絕緣物的部分產(chǎn)生。
本發(fā)明是鑒于該情況而完成的,目的在于提供一種在與被施加高頻電力的電極接觸的絕緣物的部分難以產(chǎn)生沿面放電的高頻等離子體處理裝置以及高頻等離子體處理方法。
用于解決技術(shù)問題的技術(shù)方案
為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明的第一方面提供一種高頻等離子體處理裝置,其具有與絕緣物接觸的電極,對上述電極施加高頻電力,利用由此生成的等離子體對基板進(jìn)行等離子體處理,上述高頻等離子體處理裝置的特征在于,包括:對基板進(jìn)行等離子體處理的處理室;收納與上述絕緣物接觸的狀態(tài)的上述電極的電極收納部;對上述電極施加高頻電力的高頻電源;和濕度調(diào)整單元,其調(diào)整上述電極收納部內(nèi)的濕度,使得不在上述電極收納部內(nèi)產(chǎn)生沿面放電。
在上述第一方面,能夠使用作為上述濕度調(diào)整單元具有對上述電極收納部供給干燥氣體的干燥氣體供給機(jī)構(gòu)的高頻等離子體處理裝置。
還可以包括:測定上述電極收納部內(nèi)的濕度的濕度計;和放電防止部,其在干燥氣體從上述干燥氣體供給機(jī)構(gòu)供給至上述電極收納部時,在上述濕度計的測定值超過規(guī)定的閾值的情況下,不允許上述高頻電源的動作,在上述濕度計的測定值在上述閾值以下的情況下,允許上述高頻電源的動作。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





