[發明專利]β-Ga２O３基單晶基板

有效

• 申請號: 201510089930.3
• 申請日: 2015-02-27
• 公開（公告）號: CN104878449B
• 公開（公告）日: 2019-01-08
• 發明（設計）人: 輿公祥;渡邊信也;瀧澤勝;山岡優;脅本大樹;渡邊誠
• 申請（專利權）人: 株式會社田村制作所;株式會社光波
• 主分類號: C30B29/16
• 分類號: C30B29/16;C30B15/34
• 代理公司: 北京市隆安律師事務所 11323
• 代理人: 徐謙

一種β?Ga₂O₃基單晶基板包括β?Ga₂O₃基單晶。所述β?Ga₂O₃基單晶具有小于75秒的X射線搖擺曲線的半高寬。

技術領域

本發明涉及β-Ga₂O₃基單晶基板。

背景技術

通過EFG方法生長β-Ga₂O₃單晶是已知的(例如參見非專利文獻：“Growth ofβ-Ga₂O₃Single Crystals by the Edge-Defined Film Fed Growth Method”,Hideo Aida,Kengo Nishiguchi,Hidetoshi Takeda,Natsuko Aota,Kazuhiko Sunakawa,YoichiYaguchi,Japanese Journal of Applied Physics,Volume 47,No.11,pp.8506-8509(2008))。該非專利文獻公開了在從與籽晶的接觸部分向底部逐漸加寬β-Ga₂O₃單晶的寬度的同時，即在寬度方向上加寬肩部的同時，生長β-Ga₂O₃單晶的方法，從而可以獲得具有比籽晶更大的寬度的板狀晶體。

該非專利文獻還公開了所生長的β-Ga₂O₃單晶的X射線搖擺曲線的半高寬(FWHM)為75秒，并且坑密度為9×10⁴cm^-2。

發明內容

迄今為止還沒有生產出高品質的氧化鎵單晶。另外，傳統技術只能生產出像該非專利文獻中所公開的那樣的低質量氧化鎵單晶，并且還不知道是否存在生產更高質量的氧化鎵單晶的方法。

本發明的目的是提供一種具有優良的晶體質量的β-Ga₂O₃基單晶基板。

根據本發明的一個實施方式，提供以下[1]至[10]中列出的β-Ga₂O₃基單晶基板。

[1]一種β-Ga₂O₃基單晶基板，包括β-Ga₂O₃基單晶，其中所述β-Ga₂O₃基單晶具有小于75秒的X射線搖擺曲線的半高寬。

[2]根據[1]的β-Ga₂O₃基單晶基板，其中所述X射線搖擺曲線的半高寬是在所述β-Ga₂O₃基單晶的(-201)面或(001)面獲得的。

[3]根據[1]或[2]的β-Ga₂O₃基單晶基板，其中所述β-Ga₂O₃基單晶具有(-201)、(101)或(001)面取向的主面。

[4]根據[1]至[3]中任一項的β-Ga₂O₃基單晶基板，其中所述半高寬不大于35秒。

[5]一種β-Ga₂O₃基單晶基板，具有小于9×10⁴cm^-2的平均位錯密度。

[6]根據[5]的β-Ga₂O₃基單晶基板，其中所述平均位錯密度不超過7.8×10⁴cm^-2。