[發(fā)明專利]β-Ga２O３基單晶基板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510089930.3
• 申請(qǐng)日: 2015-02-27
• 公開（公告）號(hào): CN104878449B
• 公開（公告）日: 2019-01-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 輿公祥;渡邊信也;瀧澤勝;山岡優(yōu);脅本大樹;渡邊誠
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社田村制作所;株式會(huì)社光波
• 主分類號(hào): C30B29/16
• 分類號(hào): C30B29/16;C30B15/34
• 代理公司: 北京市隆安律師事務(wù)所 11323
• 代理人: 徐謙

1.一種β-Ga₂O₃基單晶基板，包括β-Ga₂O₃基單晶，

其中所述β-Ga₂O₃基單晶具有小于75秒的在(-201)面或(001)面的X射線搖擺曲線的半高寬。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的β-Ga₂O₃基單晶基板，其中所述β-Ga₂O₃基單晶具有(-201)、(101)或(001)面取向的主面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的β-Ga₂O₃基單晶基板，其中所述半高寬不大于35秒。

4.一種β-Ga₂O₃基單晶基板，具有小于9×10⁴cm^-2的平均位錯(cuò)密度，并且還具有(-201)、(101)或(001)面取向的主面。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的β-Ga₂O₃基單晶基板，其中所述平均位錯(cuò)密度不超過7.8×10⁴cm^-2。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的β-Ga₂O₃基單晶基板，其中所述基板不含孿晶。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的β-Ga₂O₃基單晶基板，其中所述基板還具有不小于2英寸的直徑。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的β-Ga₂O₃基單晶基板，還具有不含孿晶面的區(qū)域，并且

其中所述區(qū)域在垂直于孿晶面與主面的交叉線的方向上具有不小于2英寸的最大寬度。