[發明專利]薄膜晶體管基板和使用該薄膜晶體管基板的顯示裝置

有效

• 申請號: 201510087762.4
• 申請日: 2015-02-25
• 公開（公告）號: CN104867934B
• 公開（公告）日: 2018-12-14
• 發明（設計）人: 趙圣弼;金容一
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77;H01L27/32
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種薄膜晶體管基板，包括：

基板；

第一薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管設置在所述基板上并且包括多晶半導體層、所述多晶半導體層上方的第一柵極電極、第一源極電極和第一漏極電極；

第二薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管設置在所述基板上并且包括第二柵極電極、所述第二柵極電極上的氧化物半導體層、第二源極電極和第二漏極電極；

中間絕緣層，所述中間絕緣層包括氮化物層并且設置在所述第一柵極電極上；和

氧化物層，所述氧化物層覆蓋所述第二柵極電極并且設置在所述中間絕緣層上，

其中所述氧化物半導體層設置在所述氧化物層上并且與所述第二柵極電極重疊，

其中所述第一源極電極、所述第一漏極電極和所述第二柵極電極設置于所述中間絕緣層與所述氧化物層之間，

其中所述第二源極電極和所述第二漏極電極設置在所述氧化物半導體層上，

其中所述第一源極電極和所述第一漏極電極包括與所述第二柵極電極相同的材料，

其中所述第二柵極電極通過貫通所述中間絕緣層的柵極接觸孔而連接至柵極線，所述柵極線包括與所述第一柵極電極相同的材料，

其中所述第二源極電極通過數據接觸孔而連接至數據線，所述數據線包括與所述第二柵極電極相同的材料，并且

其中所述中間絕緣層設置在所述多晶半導體層上方并且設置在所述氧化物半導體層下面。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板，還包括柵極絕緣層，所述柵極絕緣層覆蓋所述多晶半導體層，其中所述第一柵極電極設置在所述柵極絕緣層上并且與所述多晶半導體層重疊。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管基板，其中所述第一源極電極通過貫通所述中間絕緣層和所述柵極絕緣層的源極接觸孔而連接至所述多晶半導體層的一個部分，

其中所述第一漏極電極通過貫通所述中間絕緣層和所述柵極絕緣層的漏極接觸孔而連接至所述多晶半導體層的另一個部分，

其中所述第二源極電極接觸所述氧化物半導體層的一個部分，并且

其中所述第二漏極電極接觸所述氧化物半導體層的另一個部分。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中所述中間絕緣層還包括下氧化物層。

5.根據權利要求4所述的薄膜晶體管基板，其中所述氮化物層設置在所述下氧化物層上。

6.一種薄膜晶體管基板，包括：

基板；

第一半導體層，所述第一半導體層設置在所述基板上并且包括多晶半導體材料；

柵極絕緣層，所述柵極絕緣層覆蓋所述第一半導體層；

第一柵極電極，所述第一柵極電極設置在所述柵極絕緣層上并且與所述第一半導體層重疊；

中間絕緣層，所述中間絕緣層包括氮化物層并且覆蓋所述第一柵極電極；

第二柵極電極、第一源極電極和第一漏極電極，所述第二柵極電極、所述第一源極電極和所述第一漏極電極設置在所述中間絕緣層上；

氧化物層，所述氧化物層覆蓋所述第一源極電極、所述第一漏極電極和所述第二柵極電極；

包括氧化物半導體材料的第二半導體層，所述第二半導體層設置在所述氧化物層上并且與所述第二柵極電極重疊；

第二源極電極和第二漏極電極，所述第二源極電極和所述第二漏極電極設置在所述第二半導體層上，

其中所述第一源極電極和所述第一漏極電極包括與所述第二柵極電極相同的材料，

其中所述第二柵極電極通過貫通所述中間絕緣層的柵極接觸孔而連接至柵極線，所述柵極線包括與所述第一柵極電極相同的材料，

其中所述第二源極電極通過數據接觸孔而連接至數據線，所述數據線包括與所述第二柵極電極相同的材料，并且

其中所述中間絕緣層設置在所述第一半導體層上方并且設置在所述第二半導體層下面。