[發(fā)明專利]薄膜晶體管基板和使用該薄膜晶體管基板的顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201510087762.4
• 申請(qǐng)日: 2015-02-25
• 公開（公告）號(hào): CN104867934B
• 公開（公告）日: 2018-12-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙圣弼;金容一
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77;H01L27/32
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國(guó);趙靜

本文涉及一種在同一基板上具備兩種不同類型薄膜晶體管的薄膜晶體管基板和使用該薄膜晶體管基板的顯示裝置。本文提出一種薄膜晶體管基板，包括：基板；設(shè)置在基板上并包括多晶半導(dǎo)體層、多晶半導(dǎo)體層上方的第一柵極電極、第一源極電極和第一漏極電極的第一薄膜晶體管；設(shè)置在基板上并包括第二柵極電極、所述第二柵極電極上的氧化物半導(dǎo)體層、第二源極電極和第二漏極電極的第二薄膜晶體管；包括氮化物層并設(shè)置在第一柵極電極上的中間絕緣層；和覆蓋第二柵極電極并設(shè)置在中間絕緣層上的氧化物層，其中氧化物半導(dǎo)體層設(shè)置在氧化物層上并與第二柵極電極重疊，第一源極電極、第一漏極電極和第二柵極電極設(shè)置于中間絕緣層與氧化物層之間，并且第二源極電極和第二漏極電極設(shè)置在氧化物半導(dǎo)體層上。

本申請(qǐng)要求享有于2014年2月24日提出的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)第61/943628號(hào)和于2015年2月23日提出的美國(guó)申請(qǐng)第14/628411號(hào)的權(quán)益，為所有目的通過引用將該申請(qǐng)結(jié)合在此，如同在此全部闡述一樣。

技術(shù)領(lǐng)域

本文涉及一種在同一基板上具有兩種不同類型的薄膜晶體管的薄膜晶體管基板及利用這種薄膜晶體管基板的顯示裝置。

背景技術(shù)

如今隨著信息化社會(huì)的發(fā)展，針對(duì)用以顯示信息的顯示裝置的要求也在增加。因此，開發(fā)了各種平板顯示裝置(或者“FPD”)來克服陰極射線管(或者“CRT”)的許多缺陷，例如重量重和體積大。平板顯示裝置包括液晶顯示裝置(或者“LCD”)、等離子顯示面板(或者“PDP”)、有機(jī)發(fā)光顯示裝置(或者“OLED”)以及電泳顯示裝置(或者“ED”)。

平板顯示裝置的顯示面板可以包括薄膜晶體管基板，該薄膜晶體管基板具有以矩陣方式排列的各像素區(qū)域內(nèi)分配的薄膜晶體管。例如，液晶顯示裝置(或者“LCD”)通過利用電場(chǎng)來控制液晶層的光透射率而呈現(xiàn)視頻數(shù)據(jù)。有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置通過在以矩陣方式設(shè)置的各像素處由于其中形成有機(jī)發(fā)光二極管來適當(dāng)產(chǎn)生受控光而顯示視頻數(shù)據(jù)。

作為自發(fā)光顯示裝置，有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置具有響應(yīng)速度非常快、亮度非常高且視角大的優(yōu)點(diǎn)。利用了能量效率優(yōu)異的有機(jī)發(fā)光二極管的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置(或者“OLED”)能被分為無源矩陣型有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置(或者“PMOLED”)和有源矩陣型有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置(或“AMOLED”)。

隨著個(gè)人用具更加盛行，便攜式和/或可穿戴裝置也被積極地開發(fā)。為了將顯示裝置應(yīng)用于便攜式和/或可穿戴裝置，顯示裝置具有低功耗特性。然而，采用至目前為止已開發(fā)的技術(shù)，獲得具有優(yōu)異低功耗特性的顯示裝置還是有所限制。

發(fā)明內(nèi)容

為了克服上述缺陷，本文的目的在于提出一種用于平板顯示裝置的薄膜晶體管基板，這種薄膜晶體管基板在同一基板上具有在特性方面相互不同的至少兩種薄膜晶體管。本文的另一目的在于提出一種通過優(yōu)化的制造工藝及最少化的掩模工藝而制造的具有兩種不同類型薄膜晶體管的用于平板顯示裝置的薄膜晶體管基板。

為了達(dá)到上述目的，本文提出一種薄膜晶體管基板，該薄膜晶體管基板包括：基板；第一薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管設(shè)置在所述基板上并且包括多晶半導(dǎo)體層、所述多晶半導(dǎo)體層上方的第一柵極電極、第一源極電極和第一漏極電極；第二薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管設(shè)置在所述基板上并且包括第二柵極電極、所述第二柵極電極上的氧化物半導(dǎo)體層、第二源極電極和第二漏極電極；中間絕緣層，所述中間絕緣層包括氮化物層并且設(shè)置在所述第一柵極電極上；和氧化物層，所述氧化物層覆蓋所述第二柵極電極并且設(shè)置在所述中間絕緣層上，其中所述氧化物半導(dǎo)體層設(shè)置在所述氧化物層上并且與所述第二柵極電極重疊，其中所述第一源極電極、所述第一漏極電極和所述第二柵極電極設(shè)置于所述中間絕緣層與所述氧化物層之間，并且其中所述第二源極電極和所述第二漏極電極設(shè)置在所述氧化物半導(dǎo)體層上。

在一個(gè)實(shí)施方式中，所述薄膜晶體管基板還包括：柵極絕緣層，所述柵極絕緣層覆蓋所述多晶半導(dǎo)體層，其中所述第一柵極電極設(shè)置在所述柵極絕緣層上并且與所述多晶半導(dǎo)體層重疊。