[發(fā)明專利]薄膜晶體管基板及利用該薄膜晶體管基板的顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201510087375.0
• 申請日: 2015-02-25
• 公開（公告）號: CN104867932B
• 公開（公告）日: 2018-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李瑛長;孫庚模;李昭珩;鄭昊暎;樸文鎬;李成秦
• 申請（專利權(quán)）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786;H01L27/32
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11006
• 代理人: 徐金國

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及一種在相同基板上具有兩種不同類型的薄膜晶體管的薄膜晶體管基板及利用該薄膜晶體管基板的顯示裝置。

背景技術(shù)

如今，隨著信息化社會(huì)的發(fā)展，針對用以顯示信息的顯示裝置的需求正在增加。因此，開發(fā)了多種平板顯示裝置(或FPD)以克服陰極射線管(或CRT)的缺點(diǎn)，例如重量高及體積大。平板顯示裝置包括液晶顯示裝置(或LCD)、等離子顯示面板(或PDP)、有機(jī)發(fā)光顯示裝置(或OLED)以及電泳顯示裝置(或ED)。

平板顯示裝置的顯示面板可以包括在以矩陣方式排列的像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置有薄膜晶體管的薄膜晶體管基板。例如，液晶顯示裝置(或LCD)通過利用電場控制液晶層的光透射率以表現(xiàn)視頻數(shù)據(jù)。有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的以矩陣方式設(shè)置的每一像素中形成了有機(jī)發(fā)光二極管，因此有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置通過產(chǎn)生正確受控的光以表現(xiàn)視頻數(shù)據(jù)。

作為自發(fā)光顯示裝置，有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置具有響應(yīng)速度非常快、亮度非常高及視角大的優(yōu)點(diǎn)。利用了能量效率優(yōu)異的有機(jī)發(fā)光二極管的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置(或OLED)可分為無源矩陣型的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置(或PMOLED)和有源矩陣型的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置(或AMOLED)。

隨著個(gè)人用電子裝置更為普遍，正在積極開發(fā)攜帶性及/或穿戴性的裝置。為了將顯示裝置應(yīng)用于攜帶用和/或可穿戴裝置中，所述裝置具有低消耗功率的特性。然而，利用目前為止開發(fā)的技術(shù)，在獲得低消耗功率特性優(yōu)異的裝置方面存在有限制。

發(fā)明內(nèi)容

為了克服上述缺陷，本申請的目的在于提供一種用于平板顯示裝置的薄膜晶體管基板，該薄膜晶體管基板在相同的基板上具有至少兩種特性彼此不同的薄膜晶體管。本申請的另一目的在于提供一種用于平板顯示裝置的薄膜晶體管基板，該薄膜晶體管基板具有通過最優(yōu)化的制造工藝及最少化的掩模工藝來形成的兩種不同類型的薄膜晶體管。

為了實(shí)現(xiàn)所述目的，本申請?zhí)岢鲆环N顯示裝置，包括：第一薄膜晶體管，所述第一薄膜晶體管包括多晶半導(dǎo)體層、所述多晶半導(dǎo)體層上的第一柵極電極、第一源極電極以及第一漏極電極；第二薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管包括第二柵極電極、所述第二柵極電極上的氧化物半導(dǎo)體層、第二源極電極以及第二漏極電極；包括氮化物層及在所述氮化物層上的氧化物層的中間絕緣層，所述中間絕緣層設(shè)置在第一柵極電極和第二柵極電極之上并在所述氧化物半導(dǎo)體層之下；以及設(shè)置在氧化物半導(dǎo)體層上的蝕刻阻擋層。

在一實(shí)施例中，所述顯示裝置還包括驅(qū)動(dòng)器，其中所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管中的至少一個(gè)設(shè)置在像素中，其中所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管中的至少一個(gè)設(shè)置在所述驅(qū)動(dòng)器。

在一實(shí)施例中，所述顯示裝置還包括覆蓋所述多晶半導(dǎo)體層的柵極絕緣層。

在一實(shí)施例中，所述第一柵極電極和第二柵極電極形成在所述柵極絕緣層上的同一層上。

在一實(shí)施例中，所述第二薄膜晶體管是用于選擇像素的開關(guān)元件，所述第一薄膜晶體管是用于驅(qū)動(dòng)由第二薄膜晶體管選擇的像素的有機(jī)發(fā)光二極管的驅(qū)動(dòng)元件。

在一實(shí)施例中，所述驅(qū)動(dòng)器包括：輸出數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器；分配數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的數(shù)據(jù)電壓給數(shù)據(jù)線的多工器；以及輸出掃描脈沖給柵極線的柵極驅(qū)動(dòng)器；其中所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管中的至少一個(gè)設(shè)置在多工器和柵極驅(qū)動(dòng)器中的任何一個(gè)。

在一實(shí)施例中，所述第一源極電極設(shè)置在蝕刻阻擋層上，并通過貫穿蝕刻阻擋層、中間絕緣層和柵極絕緣層的第一源極接觸孔連接到多晶半導(dǎo)體層的一部分，所述第一漏極電極設(shè)置在蝕刻阻擋層上，并通過貫穿蝕刻阻擋層、中間絕緣層和柵極絕緣層的第一漏極接觸孔連接到多晶半導(dǎo)體層的另一部分，所述第二源極電極設(shè)置在蝕刻阻擋層上，并通過貫穿蝕刻阻擋層的第二源極接觸孔連接到氧化物半導(dǎo)體層的一部分，所述第二漏極電極設(shè)置在蝕刻阻擋層上，并通過貫穿蝕刻阻擋層的第二漏極接觸孔連接到氧化物半導(dǎo)體層的另一部分。

在一實(shí)施例中，所述第二源極電極設(shè)置在蝕刻阻擋層上，并接觸氧化物半導(dǎo)體層的一部分，所述第二漏極電極設(shè)置在蝕刻阻擋層上，并接觸氧化物半導(dǎo)體層的另一部分。

在一實(shí)施例中，所述中間絕緣層還包括在氮化物層之下以及在第一及第二柵極電極之上的下氧化物層。

在一實(shí)施例中，所述氮化物層和氧化物層的每一個(gè)都具有至的厚度。